处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE0159

NCE0159

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M--NCE0159 TO-220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE0159

NCE0159概述

    NCE0159-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NCE0159-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其具有高耐压能力(100V)和高工作温度范围(最高可达175°C),特别适用于高温和高电流环境下的应用。该器件采用了先进的TrenchFET技术,以实现低导通电阻和高速开关特性。其主要应用于汽车电子、工业控制、电源管理等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 100V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(ID): 100A(TJ = 25°C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 280mJ(TC = 25°C)
    - 最大功耗(PD): 250W(TO-220AB)
    - 热阻(RthJA): 62.5°C/W(自由空气)
    - 工作温度范围(Tj): -55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    - TrenchFET技术:采用先进的TrenchFET技术,能够提供更低的导通电阻和更高的电流处理能力。
    - 高耐温性:最大结温可达175°C,适应严苛的工作环境。
    - 符合RoHS标准:符合欧盟RoHS指令,无铅环保。
    - 高性能:在典型条件下,其导通电阻(RDS(on))在VGS=10V时仅为0.009Ω,在VGS=4.5V时为0.020Ω。

    应用案例和使用建议


    NCE0159-VB MOSFET由于其出色的性能,非常适合应用于汽车电子系统、工业控制设备和电源管理系统中。在实际应用中,考虑到其高耐温性和大电流处理能力,适合用于高温环境下的开关电源和电机驱动电路。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应确保适当的散热措施以避免过热。
    - 选择合适的驱动电压以优化性能。
    - 考虑到雪崩耐受性,适当增加保护电路以增强稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NCE0159-VB MOSFET 可直接替代市面上同类型的MOSFET,且与多种封装兼容。
    - 支持:台湾VBsemi公司提供详尽的技术支持和售后服务,可通过其官方服务热线400-655-8788获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 过热保护问题。
    - 解决方案: 增加散热片或优化散热路径,保证器件正常工作温度范围内。

    - 问题2: 开关频率过高导致的损耗问题。
    - 解决方案: 适当降低开关频率,并确保驱动电压符合要求,减少导通电阻。

    - 问题3: 无法达到标称电流值。
    - 解决方案: 检查电路中的电压降和其他可能的限制因素,优化驱动信号。

    总结和推荐


    综上所述,NCE0159-VB MOSFET凭借其高耐温性、低导通电阻和良好的散热性能,在各种工业和汽车应用中表现出色。尤其适合需要高可靠性和长寿命的应用场合。因此,对于寻求高性能、高稳定性的电子设计师和制造商而言,这款产品无疑是一个理想的选择。强烈推荐在相关应用中使用该产品。

NCE0159参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NCE0159厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE0159数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE0159 NCE0159数据手册

NCE0159封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.9796
库存: 50
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 14.89
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336