处理中...

首页  >  产品百科  >  FDG6301N

FDG6301N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,2A,RDS(ON),150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.8Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: 14M-FDG6301N SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDG6301N

FDG6301N概述

    FDG6301N-VB 双N通道20V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDG6301N-VB 是一款双N通道20V MOSFET,主要用于便携式应用中的负载开关。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,具有低导通电阻和高可靠性,适用于各种电子设备中。

    技术参数


    以下是FDG6301N-VB的主要技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 导通电阻(VGS=4.5V)| 0.086 Ω |
    | 导通电阻(VGS=2.5V)| 0.110 Ω |
    | 导通电阻(VGS=1.8V)| 0.180 Ω |
    | 集电极连续电流 | 2.6 | 2.3 | 2.2 | A |
    | 额定脉冲电流 | 8 A |
    | 漏源击穿电压 | 20 V |
    | 工作温度范围 | -55 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 无卤素材料:符合IEC 61249-2-21标准定义,适合环保要求较高的应用场景。
    2. TrenchFET技术:采用先进的沟槽场效应技术,提高可靠性及性能。
    3. 100%测试:所有产品经过Rg测试,确保质量可靠。
    4. 符合RoHS指令:符合欧盟RoHS标准,满足全球市场需求。

    应用案例和使用建议


    FDG6301N-VB 主要应用于便携式设备的负载开关,例如智能手机和平板电脑。为了优化使用效果,可以考虑以下建议:
    1. 电路布局:确保电路设计中MOSFET有足够的散热空间,避免因过热而降低使用寿命。
    2. 散热措施:在高温环境下,建议添加散热片或其他散热措施,以维持较低的工作温度。
    3. 电流匹配:选择合适的电路布局,确保工作电流不超过MOSFET的最大额定值。

    兼容性和支持


    FDG6301N-VB 的SOT-363和SC-70封装形式使其适用于多种PCB布局。VBsemi公司提供详细的技术支持和维护服务,帮助用户解决任何使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 解决方案:添加散热片,改善散热效果。
    2. 漏电流问题
    - 解决方案:检查并更换有问题的外围器件,确保电路正常工作。
    3. 关断时间长
    - 解决方案:调整电路中的外部电阻,优化开关速度。

    总结和推荐


    FDG6301N-VB 是一款性能卓越的双N通道20V MOSFET,具备高可靠性、低导通电阻等特点,适用于多种便携式设备。总体来看,这是一款非常值得推荐的产品。无论是从技术参数还是从实际应用来看,FDG6301N-VB 都是市场上较为优秀的MOSFET之一。

FDG6301N参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 2nC@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 2.7W
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 10V,5.7A
Id-连续漏极电流 2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDG6301N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDG6301N数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDG6301N FDG6301N数据手册

FDG6301N封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.4682
库存: 532
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 2.34
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0