处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF7313TR

IRF7313TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+N沟道 30V 6.8A 22mΩ@10V SO-8
供应商型号: 14M-IRF7313TR SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7313TR

IRF7313TR概述

    IRF7313TR-VB 双N通道30V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRF7313TR-VB是一款由VBsemi生产的双N通道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有高可靠性、低导通电阻和快速开关速度等特点,广泛应用于电视顶盒、低电流直流到直流转换器等领域。这款MOSFET采用TrenchFET®技术,保证了其优异的电气特性和耐高温性能。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 6.2A (TA = 25°C), 5.2A (TA = 70°C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 5A
    - 最大功率耗散 (PD): 2.7W (TA = 25°C), 1.77W (TA = 70°C)
    - 静态参数
    - 击穿电压 (VDS): 30V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.022Ω (VGS = 10V), 0.026Ω (VGS = 4.5V)
    - 门限电压 (VGS(th)): 1.0~2.5V
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 586pF
    - 输出电容 (Coss): 117pF
    - 反向传输电容 (Crss): 55pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 5.6nC (VGS = 15V), 3.7nC (VGS = 4.5V)

    - 热阻参数
    - 最大结点到环境热阻 (RthJA): 58°C/W
    - 最大结点到引脚热阻 (RthJF): 38°C/W

    3. 产品特点和优势


    - Halogen-free and RoHS compliant: 符合无卤素和RoHS标准,满足环保要求。
    - 100% UIS Tested: 全部通过过压冲击测试。
    - 100% Rg Tested: 全部通过门极电阻测试。
    - TrenchFET®技术: 采用先进的沟槽式结构,提高耐高压和低导通电阻。
    - 宽工作温度范围: -55°C至150°C,适应各种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - Set Top Box: 在机顶盒中作为开关元件,用于电源管理和信号转换。
    - Low Current DC/DC: 在低电流直流到直流转换器中作为高效转换器,降低功耗。
    使用建议:
    - 散热管理: 虽然IRF7313TR-VB具备良好的热性能,但在高电流应用中仍需确保良好的散热措施,如使用散热片或散热器。
    - 电路设计: 设计时需注意栅极驱动电路,确保足够的栅极电荷和快速的开关时间,以避免不必要的延迟。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与常见的SO-8封装兼容,可以轻松替换现有设计中的同类MOSFET。
    - 支持: VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,包括使用手册、典型应用电路及故障排查指南。用户可通过服务热线400-655-8788获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关损耗较高。
    - 解决方案: 确保门极驱动电路设计合理,适当增加栅极电荷和降低开关时间。
    - 问题2: 热管理不当导致结温过高。
    - 解决方案: 采用高效的散热装置,如散热片或散热器,以增强散热效果。
    - 问题3: 工作电流超出额定范围。
    - 解决方案: 遵循手册中提供的最大额定值限制,合理分配电流,避免超负荷运行。

    7. 总结和推荐


    总结:
    - IRF7313TR-VB 是一款高性能的双N通道30V MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性和广泛的工作温度范围。
    - 其主要优点在于卓越的电气特性和耐用性,适用于多种应用场景。
    推荐:
    - 强烈推荐在需要高效转换和高可靠性要求的应用中使用IRF7313TR-VB。无论是用于电视顶盒还是低电流直流到直流转换器,都能发挥出色的表现。

IRF7313TR参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 10V
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 6.8A
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7313TR厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7313TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7313TR IRF7313TR数据手册

IRF7313TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.7145
库存: 200
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 3.57
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336