处理中...

首页  >  产品百科  >  FDS4435A

FDS4435A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-FDS4435A SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDS4435A

FDS4435A概述

    FDS4435A-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDS4435A-VB 是一款由VBsemi公司生产的P沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用TrenchFET®技术,提供出色的开关性能。这种器件适用于笔记本电源适配器开关和负载开关等应用。其主要功能是在电子系统中控制电流,实现电源管理和负载切换等功能。

    2. 技术参数


    - 工作电压:VDS最大为30V。
    - 栅极电压:VGS范围为±20V。
    - 连续漏极电流:在TJ = 150°C时,最大为13A。
    - 脉冲漏极电流:最大为50A。
    - 源极-漏极二极管电流:连续电流为4A,脉冲电流为60A。
    - 雪崩击穿电流:最大为20A。
    - 单脉冲雪崩能量:最大为20mJ。
    - 最大功率耗散:在25°C时为5.0W,70°C时为3.2W。
    - 热阻抗:RthJA典型值为38°C/W,最大值为46°C/W;RthJF典型值为20°C/W,最大值为25°C/W。
    - 温度范围:工作温度范围为-55°C至150°C,存储温度范围为-55°C至150°C。

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素:符合RoHS标准。
    - 全检:100% Rg测试和100% UIS测试。
    - 高可靠性:采用TrenchFET®技术,具有卓越的耐用性和稳定性。
    - 低导通电阻:VGS = -10V时,RDS(on)为0.011Ω;VGS = -4.5V时,RDS(on)为0.015Ω。
    - 快速开关特性:良好的动态性能,使得该器件在高频应用中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:该器件广泛应用于笔记本电源适配器开关和负载开关。例如,在电源适配器中,它可以用于控制输出电压和电流。
    - 使用建议:在设计电路时,应确保栅极驱动电压不超过VGS的最大额定值(±20V),以避免损坏。此外,散热设计需充分考虑其最大功率耗散限制。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件采用标准SO-8封装,易于与其他电路板进行连接。具体尺寸参见下图。
    - 支持:VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括在线技术支持和现场服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保该器件的可靠运行?
    - 解决方案:确保使用过程中遵守绝对最大额定值,避免长时间工作在极限条件。合理布局电路,保证足够的散热。
    - 问题:如何优化散热?
    - 解决方案:使用合适的散热片和热管,并考虑增加PCB面积以增强散热效果。

    7. 总结和推荐


    总体来看,FDS4435A-VB是一款性能优越、可靠性高的P沟道MOSFET。其低导通电阻、快速开关特性和优异的耐压能力使其成为笔记本电源适配器和负载开关的理想选择。对于需要高性能和高可靠性的应用,强烈推荐使用这款器件。
    希望以上内容对您有所帮助。如果您有任何进一步的问题或需求,请随时联系我们。

FDS4435A参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 89pF@12.5V
Id-连续漏极电流 9A
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@10V
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDS4435A厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDS4435A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDS4435A FDS4435A数据手册

FDS4435A封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.7599
库存: 2968
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 3.79
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0