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IPB60R199CP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-IPB60R199CP TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB60R199CP

IPB60R199CP概述


    产品简介


    IPB60R199CP-VB 是一款N沟道超结MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高功率应用。这款器件具有极低的开关损耗、高可靠性和优异的热性能,特别适合于电信、照明、消费电子、工业控制和可再生能源等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 \( V{DS} \) 650 | V |
    | 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \) | 2 | 4 V |
    | 开启状态电阻 \( R{DS(on)} \) 0.19 Ω |
    | 总栅电荷 \( Qg \) 71 | 106 | nC |
    | 输入电容 \( C{iss} \) 2322 pF |
    | 反向恢复时间 \( t{rr} \) 160 ns |
    | 逆向恢复电荷 \( Q{rr} \) 1.2 μC |

    产品特点和优势


    1. 低开关损耗:由于 \( Q{rr} \) 和 \( I{RRM} \) 的降低,使得该器件具有较低的反向恢复时间和电荷,从而减少了总的开关损耗。
    2. 高可靠性:IPB60R199CP-VB 具备低功耗和高耐压特性,能够在严苛的工作环境中保持稳定运行。
    3. 快速响应:超低的栅电荷 \( Qg \) 和门限电压 \( V{GS(th)} \),确保快速的开关速度,提高了系统的整体效率。
    4. 优越的热性能:具有较低的 \( R{thJA} \) 值,有效提升了散热能力,延长了器件的使用寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信行业:用于服务器和通信电源系统中,提供高效能的电能转换。
    - 照明系统:适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯的驱动电路。
    - 消费电子:应用于ATX电源供应系统,为家庭电器提供稳定的电力输出。
    - 工业设备:适用于焊接机和电池充电器,提供高可靠性的电流控制。
    - 可再生能源:应用于太阳能光伏逆变器,实现高效的能量转换。
    使用建议
    - 在设计开关电源时,考虑并选择合适的电容值以匹配 \( C{iss} \) 和 \( C{oss} \) 的特性,减少开关过程中的寄生振荡。
    - 通过优化栅极驱动电阻 \( Rg \) 来改善开关速度,减少导通延迟 \( t{d(on)} \) 和关断延迟 \( t{d(off)} \)。
    - 在极端温度条件下使用时,需注意器件的最大结温 \( Tj \) 和存储温度范围 \( T{stg} \),避免因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    IPB60R199CP-VB 采用标准的 D2PAK (TO-263) 封装,具有良好的互换性和兼容性。厂商提供全面的技术支持,包括详细的规格书、应用指南和现场技术服务,确保客户能够快速、准确地将器件集成到他们的系统中。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 调整栅极驱动信号频率和幅度,减少 \( Q{rr} \) 影响。 |
    | 过高的栅极泄露电流 | 确保所有连接正确无误,检查是否有短路或接触不良的情况。 |
    | 导通电阻异常 | 检查驱动条件是否满足 \( V{GS} \geq V{GS(th)} \),且不要超过最大结温限制。 |

    总结和推荐


    总体而言,IPB60R199CP-VB 是一款性能优异、可靠性强的N沟道超结MOSFET。它在多个领域的应用中表现出色,特别是在要求高效、可靠电力转换的应用中。无论是电信设备、工业控制系统还是可再生能源设备,这款器件都能提供卓越的表现。我们强烈推荐此款产品给需要高性能电力转换的客户。

IPB60R199CP参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 199mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
最大功率耗散 139W
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 32nC@ 10V
Id-连续漏极电流 16A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB60R199CP厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB60R199CP数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB60R199CP IPB60R199CP数据手册

IPB60R199CP封装设计

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