处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE60P50K

NCE60P50K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-NCE60P50K TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE60P50K

NCE60P50K概述

    # NCE60P50K-VB P-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE60P50K-VB 是一款高性能的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种负载开关应用。此款MOSFET采用了TrenchFET®技术,旨在提供出色的性能和可靠性。
    主要功能
    - 漏源电压额定值高达60V(VDS)
    - 极低的导通电阻(RDS(on)),在典型工作条件下可达到0.02Ω至0.035Ω
    - 采用TO-252封装形式,适用于多种电路板布局
    - 高度集成,易于安装和使用
    应用领域
    - 负载开关
    - 电源管理
    - 电机控制

    技术参数


    以下是NCE60P50K-VB的主要技术参数:
    - 漏源电压 (VDS):最大60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):在环境温度25°C时为-40A,最高工作温度175°C时为-5A
    - 脉冲漏电流 (IDM):最高160A
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS = -10V,ID = -17A时为0.02Ω
    - 在VGS = -10V,ID = -40A时为0.030Ω(在125°C时)
    - 在VGS = -10V,ID = -40A时为0.035Ω(在150°C时)
    - 总门电荷 (Qg):110至165nC(在VDS = -30V,VGS = -10V,ID = -40A时)

    产品特点和优势


    NCE60P50K-VB 的独特功能包括:
    - 低导通电阻 (RDS(on)):在相同尺寸下,提供了更佳的效率和更低的功耗。
    - 高可靠性:设计用于高温环境(高达150°C),保证长期稳定运行。
    - 集成化封装:TO-252封装便于安装和散热,适合紧凑型设计。
    - 快速开关特性:优秀的开关性能,有助于提高系统效率和降低损耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:NCE60P50K-VB 可以作为负载开关,用于电池管理系统的保护,确保设备的安全和高效运行。
    - 电源管理:在充电器和其他电源转换设备中,NCE60P50K-VB 有助于提高整体效率。
    使用建议
    - 散热设计:尽管NCE60P50K-VB 有良好的热性能,但在高功率应用中,应考虑良好的散热设计,例如增加散热片或使用散热器。
    - 驱动电路:为了充分发挥其性能,建议使用合适的驱动电路,确保快速可靠的开关操作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NCE60P50K-VB 适用于大多数标准电路板布局,特别是在使用TO-252封装的应用中。
    - 技术支持:请联系您的VBsemi代表获取更多技术支持和产品信息,也可拨打服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确保NCE60P50K-VB 的正确安装?
    - A: 确保正确的引脚对齐,并使用焊接技术确保良好接触。
    - Q: 如何处理高功率应用中的过热问题?
    - A: 使用散热器或增加散热片,确保设备周围有足够的空气流通。
    - Q: 如何实现最佳的开关速度?
    - A: 使用适当的门极驱动器并调整驱动电阻,确保快速且无损的开关操作。

    总结和推荐


    NCE60P50K-VB 是一款高效、可靠的P沟道功率MOSFET,非常适合各种负载开关和电源管理应用。其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性使其成为众多工程师的理想选择。强烈推荐使用此产品,特别是在需要高效率和紧凑设计的场合。如需进一步的技术支持或样品请求,请联系VBsemi。

NCE60P50K参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 75nC
最大功率耗散 113W
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 0.040Ω@VGS = - 4.5 V,ID = - 14 A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.95nF
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE60P50K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE60P50K数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE60P50K NCE60P50K数据手册

NCE60P50K封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.8697
库存: 1481
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 9.34
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0