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IRF7313QTRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.73Vth(V);SOP8
供应商型号: 14M-IRF7313QTRPBF SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7313QTRPBF

IRF7313QTRPBF概述

    IRF7313QTRPBF-VB Dual N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF7313QTRPBF-VB 是一款高性能的双 N 沟道 30V(D-S)MOSFET。这种场效应晶体管以其低导通电阻(RDS(on))和出色的热性能而著称,适用于多种应用,如机顶盒和低电流直流-直流转换器。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 漏源电压(VDS): 30V
    - 连续漏极电流(ID): 6.2A @ 25°C
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): 5A
    - 最大功耗(PD): 2.7W @ 25°C
    - 最高工作温度(TJ): -55°C 至 +150°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS): 30V
    - 门源阈值电压(VGS(th)): 1.0V 至 2.5V
    - 导通状态漏源电阻(RDS(on)): 0.022Ω @ 10V,0.026Ω @ 4.5V
    - 前向转移电导(gfs): 16S
    - 输入电容(Ciss): 586pF
    - 输出电容(Coss): 117pF
    - 反向传输电容(Crss): 55pF
    - 总栅极电荷(Qg): 3.7nC
    - 动态参数
    - 开启延迟时间(td(on)): 12ns 至 24ns
    - 关断延迟时间(td(off)): 11ns 至 22ns
    - 下降时间(tf): 8ns 至 16ns
    - 上升时间(tr): 9ns 至 18ns
    - 体二极管反向恢复时间(trr): 11ns 至 20ns
    - 体二极管反向恢复电荷(Qrr): 4nC 至 8nC

    产品特点和优势


    IRF7313QTRPBF-VB 具有多项显著的优势:
    - 环保设计:符合 IEC 61249-2-21 的无卤素标准,并且完全符合 RoHS 指令。
    - 高可靠性:100% UIS 和 Rg 测试保证。
    - 出色的热性能:热阻 RthJA 为 58°C/W,有助于散热。
    - 低导通电阻:导通状态下,漏源电阻低至 0.022Ω,能有效降低功耗。

    应用案例和使用建议


    IRF7313QTRPBF-VB 广泛应用于低电流直流-直流转换器和机顶盒等领域。对于需要高效率和低功耗的应用,它是一个理想选择。
    使用建议:
    - 确保电路板上的热管理设计合理,以避免过热现象。
    - 在设计 PCB 布局时,确保引脚布局合理,以减少寄生电感和电容的影响。
    - 选择合适的栅极电阻(Rg),以控制开关速度并降低开关损耗。

    兼容性和支持


    IRF7313QTRPBF-VB 采用 SO-8 封装,易于安装在各种 PCB 上。厂商提供技术支持和保修服务,确保客户在使用过程中能够得到有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过温报警
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保足够的散热措施。
    - 问题:驱动不稳定
    - 解决方案:调整栅极电阻(Rg)值,以改善开关性能。

    总结和推荐


    IRF7313QTRPBF-VB 在设计上注重可靠性和性能,适用于低电流直流-直流转换器和其他需要高效、低功耗的场合。通过上述分析,我们强烈推荐使用这款高性能 MOSFET,在多种应用场景中展现出卓越的性能和稳定性。

IRF7313QTRPBF参数

参数
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7313QTRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7313QTRPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7313QTRPBF IRF7313QTRPBF数据手册

IRF7313QTRPBF封装设计

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