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VBA3102N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-2SK3228-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBA3102N

VBA3102N概述

    Dual N-Channel 100 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款 Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 TrenchFET® Power MOSFET 类型。它主要应用于直流/直流转换器的初级侧开关,以及电信和服务器等领域。此外,在工业领域也有广泛的应用。该产品的主要功能包括在高电流和电压环境下实现高效稳定的电能转换。

    技术参数


    - 主要参数:
    - 最大电压 (VDS):100 V
    - 最大漏极电流 (ID):12 A(TC = 25 °C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):45 A(t = 300 µs)
    - 最大连续源-漏二极管电流 (IS):5.4 A(TC = 25 °C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):30 A
    - 雪崩能量 (EAS):45 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):6 W(TC = 25 °C)
    - 最大结-环境热阻 (RthJA):42 °C/W(TC = 25 °C)
    - 最大结-引脚热阻 (RthJF):21 °C/W
    - 电气特性:
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS):100 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):1.0 ~ 2.5 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):1 µA
    - 导通漏极电流 (ID(on)):30 A
    - 导通漏源电阻 (RDS(on)):0.012 Ω(VGS = 10 V)
    - 输入电容 (Ciss):1970 pF(VDS = 50 V)
    - 输出电容 (Coss):695 pF
    - 反向传输电容 (Crss):62 pF
    - 总栅电荷 (Qg):20.7 nC(VDS = 50 V)
    - 动态参数:
    - 开通过程延迟时间 (td(on)):15 ~ 30 ns
    - 上升时间 (tr):11 ~ 22 ns
    - 关断过程延迟时间 (td(off)):31 ~ 60 ns
    - 下降时间 (tf):10 ~ 20 ns

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:该产品通过了100%的Rg和UIS测试,确保了产品的稳定性和可靠性。
    2. 高效能:具有较低的导通电阻 (RDS(on)),能够在高电流下保持低损耗。
    3. 快速开关特性:具有短的开关延迟时间和上升时间,适合高速开关应用。
    4. 高集成度:采用 SO-8 封装,体积小且易于集成。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该产品广泛应用于电信服务器的电源管理和工业自动化控制领域。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑散热措施以避免因温度过高导致的性能下降。
    - 建议在高电流环境中使用外部散热片,以提高热管理效果。
    - 适当调整栅极电阻 (Rg),以获得最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准的 SO-8 封装插座,与多种电路板和设备兼容。
    - 支持:供应商提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品过热
    - 解决方案:增加外部散热片或采用更高效的散热材料。
    - 问题2:开关速度慢
    - 解决方案:调整栅极电阻 (Rg) 以缩短开关延迟时间。
    - 问题3:电流过大导致损坏
    - 解决方案:使用限流电路保护器件,避免过载。

    总结和推荐


    综上所述,Dual N-Channel 100 V MOSFET 是一款性能优越、可靠性高的电子元器件,非常适合用于电信、服务器和工业自动化领域。其高效能、低损耗的特点使其在多种应用场景中表现出色。强烈推荐在高要求的电路设计中使用此产品,以满足高性能需求。

VBA3102N参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
Id-连续漏极电流 10A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@10V,16.8mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBA3102N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBA3102N数据手册

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VBA3102N封装设计

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