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2SJ526

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-12A,RDS(ON),100mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 2SJ526 TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ526

2SJ526概述

    2SJ526-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SJ526-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET)。这款MOSFET采用TrenchFET®技术制造,具有出色的开关性能和低导通电阻,适用于各种负载开关应用。

    2. 技术参数


    以下是2SJ526-VB的主要技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 (VDS) -60 V |
    | 栅极阈值电压 (VGS(th)) | -1.0 | -2.0 | -3.0 | V |
    | 栅极漏电流 (IGSS) | ±100 nA |
    | 零栅压漏电流 (IDSS) | -1 V |
    | 开启状态漏极电流 (ID(on)) | -10 A |
    | 导通电阻 (RDS(on)) 0.100 Ω |
    | 转移电导 (gfs) 8 | S |
    | 输入电容 (Ciss) 550 | pF |
    | 输出电容 (Coss) 95 | pF |
    | 反向传输电容 (Crss) 60 | pF |
    | 总栅极电荷 (Qg) 12.5 | nC |
    绝对最大额定值(除非另有说明):
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 175 °C):-12 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-60 A
    - 最大功耗 (PD):30 W (TA = 25 °C)

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:提供低导通电阻和高可靠性。
    - 全范围测试:100% UIS(雪崩)测试,确保可靠性和耐用性。
    - 宽工作温度范围:从-55°C到175°C,适用于极端环境条件。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:广泛应用于电源管理、电机控制和电池管理系统中。例如,在直流电机驱动电路中,2SJ526-VB可以作为高效的开关组件,实现电机的快速启停和调速。
    - 使用建议:
    - 确保驱动电压(VGS)不超过-20V,以避免损坏栅极。
    - 在高电流情况下,考虑外部散热措施,以避免因过热导致的故障。
    - 使用合适的PCB布局,减少寄生电感和电容,提高整体性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:2SJ526-VB采用TO-220 FULLPAK封装,可直接替换同类型号的其他品牌产品。
    - 支持和服务:台湾VBsemi提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品选型指导、应用技术支持和故障排除服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确保栅极电压不会超过安全范围?
    - 解决方案:使用栅极电阻(Rg)限制驱动电流,避免瞬时高电压导致栅极损坏。

    - 问题2:在高温环境下,如何保证器件正常工作?
    - 解决方案:选择适当的散热方案,如散热片或散热风扇,确保器件工作在额定温度范围内。

    7. 总结和推荐


    2SJ526-VB凭借其出色的性能和广泛的应用范围,是一款理想的负载开关解决方案。其低导通电阻和高可靠性使其在电力管理和电机控制领域具备显著的优势。综合考虑其技术和价格因素,强烈推荐在相关应用中选用此产品。

2SJ526参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.2Ω @ VGS = -10 V,ID = -5 A,TJ = 175 °C
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 30W
Id-连续漏极电流 20A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SJ526厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ526数据手册

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2SJ526封装设计

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