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VBE16R05S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,600V,5A,RDS(ON),850mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: VBE16R05S TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE16R05S

VBE16R05S概述


    产品简介


    本文档介绍的是一款适用于多种应用场合的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)——VBE16R05S/VBFB16R05S 和 VBM16R05S/VBMB16R05S。这类器件广泛应用于电源转换、马达驱动、电池管理和照明系统等领域。该产品采用TO-220AB封装形式,具有出色的导通电阻和栅极电荷性能,能够简化驱动要求并提高系统的整体效率。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDS): 600V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.85Ω (当VGS=10V时)
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为15nC
    - 输入电容 (Ciss): 最大值为320pF
    - 输出电容 (Coss): 最大值为75pF
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 3nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 6nC
    - 栅极-漏极电压 (VDS): 在最大结温下受到限制
    - 连续漏极电流 (ID): 5A (TC=25°C), 4A (TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 16A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 120mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 34A
    - 最大功耗 (PD): 205W (TC=25°C)
    - 结到环境热阻 (RthJA): 视图
    - 开关时间:
    - 导通延迟时间 (td(on)): 18ns
    - 上升时间 (tr): 40ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 50ns
    - 下降时间 (tf): 30ns
    - 反向恢复时间 (trr): 180ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 2.1μC 至 3.2μC
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    VBE16R05S/VBFB16R05S 和 VBM16R05S/VBMB16R05S 功率MOSFET的主要特点包括:
    - 低栅极电荷 (Qg): 降低了驱动要求,简化了驱动电路设计。
    - 增强型门极、雪崩和动态dv/dt坚固性: 提高了器件在各种恶劣环境下的可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压及电流: 提供了精确的应用设计参考。
    - 符合RoHS指令: 确保环保合规。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于需要高可靠性和高性能的场合,如:
    - 电源转换:用于DC-DC转换器、AC-DC整流器等。
    - 电机控制:适用于电动汽车、工业自动化和机器人等领域。
    - LED驱动:在大功率LED照明系统中提供高效的电流控制。
    使用建议:
    - 散热设计:确保良好的散热,特别是高功率应用时,避免过热损坏。
    - 驱动电路优化:利用低栅极电荷特性,简化驱动电路设计,提高系统效率。

    兼容性和支持


    该产品与大多数现有的电路板设计兼容,但具体安装可能需要根据实际布局进行调整。制造商提供了详尽的技术支持,包括设计指南和故障排除资源。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 过高的栅极电压导致击穿。
    - 解决方案: 使用适当的栅极电阻 (RG) 以限制峰值电压。
    - 问题2: 工作温度过高导致性能降低。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,避免高温工作环境。
    - 问题3: 高频操作导致的栅极振荡。
    - 解决方案: 添加适当的栅极电阻和电容器以抑制振荡。

    总结和推荐


    总体来看,VBE16R05S/VBFB16R05S 和 VBM16R05S/VBMB16R05S 是一款高性能的功率MOSFET,具有低栅极电荷、高可靠性及良好的温度适应性,特别适合于高要求的应用场合。其优异的技术性能和广泛的适用性使得它在市场上具备显著的竞争优势。因此,强烈推荐这一产品作为高效、可靠的电力转换解决方案。
    联系方式:服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

VBE16R05S参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5A
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE16R05S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE16R05S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE16R05S VBE16R05S数据手册

VBE16R05S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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起订量: 10 增量: 2500
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