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VBZFB40N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中等功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,用于中频率和中功率的电子设备和系统。
供应商型号: 14M-VBZFB40N03
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZFB40N03

VBZFB40N03概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(VBZFB40N03)是一种高性能的场效应晶体管,属于TrenchFET® Gen III Power MOSFET系列。该产品采用无卤材料制造,并经过100% Rg测试和100% UIS测试,确保其高可靠性和耐用性。该MOSFET主要用于DC/DC转换,适用于系统电源等场景。其主要功能是控制电流的流动,能够有效降低功耗并提高电路效率。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | 30 | V |
    | 栅源电压 | ± 20
    | 连续漏极电流(TJ = 150 °C) | 14(TA = 25 °C) 45(TC = 70 °C) | A |
    | 脉冲漏极电流 | 150 | A |
    | 雪崩电流 | 25 | A |
    | 雪崩能量 | 40 | mJ |
    | 连续源漏二极管电流 | 2.9(TA = 25 °C) | A |
    | 最大功率耗散 | 2.2(TA = 70 °C) | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | -55至150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 无卤素材料:环保设计,符合RoHS标准。
    2. TrenchFET® Gen III Power MOSFET:先进的技术,提供更低的导通电阻。
    3. 全面测试:100% Rg测试和100% UIS测试确保产品质量。
    4. 低导通电阻:在栅源电压为10V时,导通电阻仅为7mΩ,提高效率。
    5. 良好的热性能:最大结点到外壳热阻为3.6°C/W,保证长时间稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在DC/DC转换器中作为开关器件。
    - 用于系统电源管理,如服务器、通信设备和消费电子产品的电源管理模块。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是长期大电流工作环境下。
    - 使用合适的驱动电路以优化性能。
    - 注意温度控制,避免超过150°C的工作温度。

    兼容性和支持


    该MOSFET可以方便地与其他标准封装的电子元器件配合使用,适合多种电路布局。厂商提供详细的使用手册和技术支持,包括在线论坛、电话支持和邮件咨询服务。此外,产品还提供长达一年的质量保证。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何优化开关速度?
    - 解决方案:选择合适的驱动电路和匹配电容值,减少栅极电阻,使用低电感PCB布局。
    2. 问题:在高温环境下工作性能下降怎么办?
    - 解决方案:增加散热片,改进散热设计,确保结温不超过最大限制。
    3. 问题:如何防止电磁干扰?
    - 解决方案:使用屏蔽线缆,合理布置线路板走线,尽量减小电流环路面积。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(VBZFB40N03)是一款高性能且可靠的产品,具备出色的电气特性和热性能。它在各种应用场景中表现出色,特别适用于需要高效率和低损耗的系统。建议在DC/DC转换器和系统电源管理中积极考虑使用此产品。

VBZFB40N03参数

参数
Id-连续漏极电流 70A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.92V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,8mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZFB40N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZFB40N03数据手册

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VBZFB40N03封装设计

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