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CMU40N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: 14M-CMU40N03 TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) CMU40N03

CMU40N03概述

    CMU40N03-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    CMU40N03-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 30 伏(D-S)功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET® 第三代技术制造,具有无卤素、通过 100% 额定栅极电阻测试和雪崩能力测试的特点。CMU40N03-VB 主要应用于直流/直流转换系统及电源系统,是高性能开关电源设计的理想选择。

    技术参数


    以下是 CMU40N03-VB 的关键技术参数:
    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 电流参数:
    - 连续漏电流 \( ID \): 5 A (在 TJ = 150°C 时)
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 150 A
    - 热参数:
    - 最大功率耗散 \( PD \): 28 W (在 TJ = 25°C 时)
    - 热阻 \( R{thJA} \): 29°C/W (最大值)
    - 热阻 \( R{thJC} \): 3.6°C/W (最大值)
    - 电容参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 17 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 200 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 150 pF
    - 电阻参数:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 VGS = 10 V 时: 7 mΩ
    - 在 VGS = 4.5 V 时: 9 mΩ
    - 动态参数:
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 33 nC (在 VDS = 15 V 时)
    - 上升时间 \( tr \): 9~18 ns
    - 下降时间 \( tf \): 8~16 ns

    产品特点和优势


    CMU40N03-VB 具备以下特点和优势:
    - 无卤素:环保材料,符合 RoHS 标准。
    - TrenchFET® 第三代技术:卓越的导通电阻和快速开关性能。
    - 100% 额定栅极电阻测试:确保高可靠性。
    - 100% 雪崩能力测试:增强耐用性,适合苛刻的应用环境。

    应用案例和使用建议


    CMU40N03-VB 广泛应用于直流/直流转换系统及电源管理,例如笔记本电脑适配器、服务器电源等。为了更好地发挥其性能,建议:
    - 选择合适的驱动电路:确保栅极驱动信号能够有效地控制 MOSFET 的开关。
    - 散热措施:合理安排散热,避免由于温度过高而导致的性能下降。

    兼容性和支持


    CMU40N03-VB 支持标准 TO-251 封装,便于焊接和安装。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户顺利完成产品选型和集成。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致温度升高 | 使用合适的散热片并优化散热设计 |
    | 导通电阻过高 | 确保 VGS 达到额定值,检查连接线是否过长或存在接触不良 |

    总结和推荐


    CMU40N03-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于各种直流/直流转换系统。其卓越的导通电阻、低功耗以及耐高温性能使其成为开关电源设计的理想选择。建议客户根据具体应用需求进行详细评估后使用。

CMU40N03参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.090Ω@VGS = 4.5 V,ID = 7 A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 28W
Id-连续漏极电流 53A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

CMU40N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

CMU40N03数据手册

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CMU40N03封装设计

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