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IRFR420BT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 650V 4.5A 1.8Ω@10V TO-252
供应商型号: 14M-IRFR420BT TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR420BT

IRFR420BT概述

    IRFR420BT-VB 技术手册综述

    1. 产品简介


    IRFR420BT-VB 是一款由VBsemi公司生产的高性能N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要应用于开关电源、电机驱动、焊接设备和其他需要高效转换电能的应用场景。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为众多电子系统中的理想选择。

    2. 技术参数


    IRFR420BT-VB 的技术参数如下:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | - | 650 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | 2.5 | 4.0 | 5.0 | V |
    | 栅漏电荷 | - | 12 | 19 | nC |
    | 栅源电荷 | - | 12 | - | nC |
    | 开启延迟时间 | - | 1.0 | 4.0 | ns |
    | 关闭延迟时间 | - | 34 | - | ns |
    | 峰值二极管恢复dv/dt | 2.8 | - | - | V/ns |
    | 最大连续漏极电流 | - | 4.2 | - | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | - | 18 | - | A |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷: IRFR420BT-VB 具有较低的栅极电荷,这使得其驱动要求简单,降低功耗,提高效率。
    - 增强型栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性: 该产品在高压环境中表现出色,能够承受较高的电压变化率。
    - 完全字符化的电容和雪崩电压电流: 这一特性保证了产品的稳定性和可靠性。
    - 符合RoHS标准: IRFR420BT-VB 符合环保要求,适用于绿色电子设计。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFR420BT-VB 广泛应用于工业控制、照明系统、电源管理等领域。例如,在电机驱动应用中,它可有效提高系统的能效,减少能耗。在使用过程中,建议注意散热,避免过高的温度导致性能下降。
    使用建议:
    - 确保适当的散热措施,如使用散热片或散热器。
    - 在开关频率较高时,注意栅极驱动信号的质量和稳定性。
    - 在选择电路布局时,尽量减小寄生电感,确保接地平面的可靠性。

    5. 兼容性和支持


    IRFR420BT-VB 兼容多种电子系统,包括但不限于开关电源、逆变器、电机控制器等。VBsemi 提供了详尽的技术支持文档和客户服务中心,确保用户在使用过程中遇到任何问题都能得到及时有效的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备启动时出现异常振荡。
    - 解决方案: 检查栅极驱动电路的布局和走线,确保没有过大的寄生电感。
    - 问题2: 设备在高温环境下表现不稳定。
    - 解决方案: 加强散热措施,确保温度不超过最大允许值。
    - 问题3: 频繁出现的器件损坏。
    - 解决方案: 确认工作条件符合规格要求,避免长时间超负荷运行。

    7. 总结和推荐


    IRFR420BT-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性及广泛的适用性。其卓越的性能使其成为众多应用的理想选择。对于需要高效、可靠的电源转换解决方案的工程师来说,强烈推荐使用IRFR420BT-VB。如果您对具体应用有任何疑问,建议联系VBsemi的技术支持团队获取更多帮助。
    服务热线: 400-655-8788
    官网链接: www.VBsemi.com

IRFR420BT参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4.5A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.8Ω@ 10V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFR420BT厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR420BT数据手册

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IRFR420BT封装设计

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