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VBZE10N20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应晶体管,具有200V的额定漏极-源极电压和10A的漏极电流。其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。200V,10A,RDS(ON),245mΩ@10V,368mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.06Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: VBZE10N20 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE10N20

VBZE10N20概述


    产品简介


    N-Channel 200V (D-S) MOSFET(VBZE10N20)是一款适用于开关电源、逆变器等高功率应用的高性能MOSFET。它采用了TrenchFET®技术,具备较高的温度耐受能力(最高可达175°C),且具有良好的PWM优化特性。这款MOSFET适用于主侧开关等多种应用场合,广泛应用于工业控制、通信设备等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 200 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | - | - | V |
    | 连续漏电流 | ID | - | - | 7 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | - | - | 12 | A |
    | 零栅源电压漏电流 | IDSS | - | - | 1 | A |
    | 正向转移导电率 | gfs | 35 | - | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 1800 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 180 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | 80 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 34 | - | 51 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | - | 8 | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 12 | nC |
    | 栅电阻 | Rg | 0.5 | - | 2.9 | Ω |
    | 开启延迟时间 | td(on) | 15 | - | 25 | ns |
    | 上升时间 | tr | 50 | - | 75 | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | 30 | - | 45 | ns |
    | 下降时间 | tf | 60 | - | 90 | ns |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET®技术:采用先进的沟槽场效应晶体管技术,具有低导通电阻和高效率的特点。
    2. 高温耐受能力:最高可承受175°C的高温,适合高温环境下的应用。
    3. PWM优化:优化了脉宽调制(PWM)的应用性能,确保在高频开关条件下的稳定工作。
    4. 符合RoHS标准:所有产品均符合RoHS指令2002/95/EC,环保无铅。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:在开关电源中作为主侧开关,适用于高压、大电流的应用场景。在逆变器系统中也常作为主开关,提高系统的能效。
    - 使用建议:建议在安装时将器件表面焊接在1英寸×1英寸的FR4电路板上,以确保良好的热传导和机械稳定性。此外,在选择驱动电路时,需考虑合适的栅极电阻和驱动电压,以避免过高的开启延迟时间和关断延迟时间。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET可以与其他兼容TrenchFET技术的驱动器和控制器配合使用,例如VBsemi的其他驱动器。
    - 支持:VBsemi公司提供了详尽的技术文档和客户支持,包括在线技术支持、电话支持等。客户可以通过公司的服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开启延迟时间过长。
    - 解决方案:增加驱动电压或降低栅极电阻。
    2. 问题:工作温度过高。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,并考虑使用散热片或其他冷却装置。
    3. 问题:出现栅极泄漏现象。
    - 解决方案:检查并替换损坏的驱动器或重新焊接栅极引脚。

    总结和推荐


    N-Channel 200V MOSFET (VBZE10N20) 是一款功能强大且应用广泛的电子元器件。其主要优点包括高性能的TrenchFET技术、高可靠性以及优异的高温耐受能力。在设计和选择电源转换电路时,这款MOSFET是一个非常值得推荐的选择。总的来说,我们强烈推荐这款产品用于需要高效能、高可靠性的应用场合。

VBZE10N20参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.06V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 200V
Rds(On)-漏源导通电阻 245mΩ@10V,368mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE10N20厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE10N20数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE10N20 VBZE10N20数据手册

VBZE10N20封装设计

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