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VBL1310

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263 适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: 14M-VBL1310
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBL1310

VBL1310概述

    VBL1310 N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBL1310是一款N沟道30伏特(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为各种电力转换应用设计。这种类型的MOSFET广泛应用于服务器、直流/直流转换器和电源管理等领域。VBL1310的特点在于其高效率和低导通电阻,使其成为高性能电源管理和工业控制应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( 0.012 \Omega \)(\( V{GS} = 10 V \))
    - \( 0.018 \Omega \)(\( V{GS} = 4.5 V \))
    - 连续漏电流 \( ID \):
    - 25 ℃时: 90 A
    - 70 ℃时: 46 A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 210 A
    - 反向恢复时间 \( t{rr} \): 52 ns 到 78 ns
    - 反向恢复电荷 \( Q{rr} \): 70.2 nC 到 105 nC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 持续漏电流(\( TJ = 175 ℃ \)):
    - 25 ℃时: 90 A
    - 70 ℃时: 46 A
    - 最大功率耗散 \( PD \):
    - 25 ℃时: 120 W
    - 70 ℃时: 85 W
    - 热阻抗
    - 最大结点到环境热阻 \( R{thJA} \): 32 \( \Omega \)
    - 最大结点到外壳稳态热阻 \( R{thJC} \): 0.5 \( \Omega \)

    3. 产品特点和优势


    VBL1310采用VBSemi公司的TrenchFET®技术,能够提供出色的性能和可靠性。具体特点如下:
    - 100% Rg和UIS测试:确保产品的质量和可靠性。
    - 符合RoHS指令2011/65/EU:环保设计,适用于多种应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景
    - OR-ing电路:用于电源冗余设计,提高系统可靠性。
    - 服务器电源:用于高效的电源管理和转换。
    - 直流/直流转换器:提供稳定可靠的电力供应。
    - 使用建议
    - 为确保最佳性能,应避免超出绝对最大额定值操作。
    - 在高温环境下使用时,需考虑适当的散热措施以保持良好的热稳定性。

    5. 兼容性和支持


    VBL1310与大多数标准电路板兼容,便于集成到现有的设计中。厂商提供详尽的技术支持,包括产品文档、设计指南和技术咨询服务,以帮助客户优化应用设计并解决任何技术难题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温环境下工作时,MOSFET温度过高。
    - 解决方案: 添加外部散热片或改进散热设计,以降低结温。
    - 问题: 使用时发现开关损耗较高。
    - 解决方案: 优化栅极驱动电路,调整栅极电阻以降低开关损耗。

    7. 总结和推荐


    VBL1310 N-Channel 30-V MOSFET 是一款高效且可靠的电子元件,适用于多种电力转换和管理应用。其卓越的性能和广泛的适用性使其在市场上具有很高的竞争力。综上所述,我们强烈推荐此产品用于需要高效率和可靠性的应用场合。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

VBL1310参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,19mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 70A
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBL1310厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBL1310数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBL1310 VBL1310数据手册

VBL1310封装设计

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