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IRFZ48RSPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V);TO263
供应商型号: 14M--IRFZ48RSPBF TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFZ48RSPBF

IRFZ48RSPBF概述


    产品简介


    产品概述
    IRFZ48RSPBF-VB 是一款适用于高压应用的N沟道MOSFET器件。其核心采用了先进的TrenchFET技术,使得其具有极高的可靠性与出色的电气性能。该器件的主要特点是能够承受高达175℃的结温(junction temperature),非常适合于严苛的工作环境中使用。该产品通常用于电源管理、电机控制、LED驱动等领域,其高效稳定的特性使其成为工业控制系统的理想选择。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压:VDS = 60V (在VGS = 0V时)
    - 源漏导通电压:VDS = 5V (在VGS = 10V时)
    - 电流参数
    - 持续漏极电流:ID = 75A (在TJ = 175°C时)
    - 脉冲漏极电流:IDM = 200A (在脉冲宽度≤300μs时)
    - 单次雪崩能量:EAS = 125mJ (在duty cycle ≤ 1%时)
    - 电阻参数
    - 开启状态下漏源导通电阻:RDS(on) = 0.011Ω (在VGS = 10V, ID = 20A时)
    - 阈值电压:VGS(th) = 1 ~ 3V (在ID = 250μA时)
    - 热参数
    - 最大结到环境的热阻:RthJA = 15°C/W (在t ≤ 10秒时)
    - 最大结到外壳的热阻:RthJC = 0.85°C/W
    - 其他参数
    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压:VGS = ±20V
    - 最大功率耗散:PD = 136W (在TA = 25°C时)
    - 使用温度范围:-55°C至175°C

    产品特点和优势


    - 高耐压能力:最高可承受60V的电压,保证在高压环境下的稳定运行。
    - 宽工作温度范围:可在-55°C至175°C的极端温度环境下正常工作。
    - 高可靠性和稳定性:采用TrenchFET技术,确保长期稳定运行,降低故障率。
    - 高效的电流处理能力:最高持续漏极电流可达75A,适合大电流应用。
    - 优秀的热管理能力:通过优化的封装设计,有效提升散热性能。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    IRFZ48RSPBF-VB 主要应用于高压电源管理电路、电机驱动器、开关电源以及LED驱动等领域。它在这些应用中能够提供高效的电流控制和稳定的电压输出。
    使用建议
    - 在设计电路时,需要特别注意热管理和散热问题,避免因过热导致器件损坏。
    - 针对不同的工作环境温度,可以通过优化散热片设计来提高其可靠性。
    - 在高频开关应用中,需考虑输入电容、输出电容及栅极电容对整体性能的影响。

    兼容性和支持


    - IRFZ48RSPBF-VB 与市面上常见的PCB材料兼容,建议使用1英寸x1英寸的FR4板材。
    - 厂商提供全面的技术支持和服务,包括产品选型指南、开发工具包、以及在线技术支持平台。
    - 如需更多信息或技术支持,请联系供应商获取详细的文档资料。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下工作时,器件频繁出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热片面积或使用更高效的散热器,优化电路板布局以改善散热效果。

    - 问题2:使用过程中发现输出电流不稳定。
    - 解决方案:检查负载情况是否符合要求,确认接线正确无误,并适当调整电源电压。

    总结和推荐


    总体评价
    IRFZ48RSPBF-VB凭借其高耐压、宽温域、高可靠性和良好的热管理能力,成为工业控制领域的优选MOSFET器件。无论是在高压电源管理还是在恶劣工作环境中,该产品都能表现出色,确保系统稳定运行。
    推荐理由
    - 高效节能:卓越的电流控制能力显著降低了系统的能耗。
    - 广泛的应用场景:适用于多种高压应用场合,适用性强。
    - 可靠的设计:高可靠的TrenchFET技术,确保长寿命和高稳定性。
    综上所述,IRFZ48RSPBF-VB是一款值得推荐的高性能MOSFET器件,适用于需要高压和高温环境工作的应用场景。

IRFZ48RSPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFZ48RSPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFZ48RSPBF数据手册

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IRFZ48RSPBF封装设计

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