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IRFR420PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IRFR420PBF TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR420PBF

IRFR420PBF概述

    IRFR420PBF-VB Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRFR420PBF-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它以其低门极电荷(Qg)和高可靠性著称,适用于多种电力转换和控制应用。这些应用包括电源管理、电机驱动、直流到交流转换以及 LED 照明等。

    2. 技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要技术参数:
    - 电压参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 最大功率耗散 \( PD \): 60 W (在 \( TC = 25 °C \))
    - 最大漏极电流 \( I{D} \): 4.2 A (在 \( TC = 100 °C \))
    - 电气特性
    - 门极-源极阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.5 - 5.0 V
    - 门极-源极电容 \( C{iss} \): 1417 pF (在 \( V{DS} = 25 V \), \( V{GS} = 0 V \))
    - 门极-源极电荷 \( Q{gs} \): 12 nC
    - 门极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 19 nC
    - 开关特性
    - 开通延迟时间 \( t{d(on)} \): 1 - 4 ns
    - 上升时间 \( tr \): 20 ns
    - 关断延迟时间 \( t{d(off)} \): 34 ns
    - 下降时间 \( tf \): 18 ns
    - 热阻
    - 最大结至环境热阻 \( R{thJA} \): 65 \( ^{\circ}C/W \)
    - 最大结至外壳热阻 \( R{thJC} \): 2.1 \( ^{\circ}C/W \)

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:低 \( Qg \) 值意味着简单的驱动要求,降低了对驱动电路的需求。
    - 高可靠性:增强了门极、雪崩和动态 \( dV/dt \) 的鲁棒性。
    - 全参数化:所有关键参数都经过全面表征,确保一致性。
    - RoHS 合规:符合欧盟的有害物质限制指令,环保且安全。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于电机驱动:通过优化 MOSFET 的开通和关断特性,可以实现高效的电机控制。
    - 电源管理:由于其高耐压和低导通电阻,可用于高效率的电源管理模块。
    使用建议:
    - 在设计应用电路时,需要考虑散热设计以避免因过热导致的失效。建议使用散热片或散热器以增加散热面积。
    - 根据具体的应用场景选择合适的驱动电路,以匹配 MOSFET 的开关特性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IRFR420PBF-VB 可以轻松集成到现有的电子系统中,与多数标准接口兼容。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利进行开发和应用。此外,VBsemi 还提供了详尽的常见问题解答和售后服务,以帮助解决用户的使用难题。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 问题一:MOSFET 在高温下无法正常工作。
    - 解决方案:增加散热措施,例如使用散热片或散热器,以降低工作温度。

    - 问题二:MOSFET 开关速度慢。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保有足够的门极驱动电流,从而加快开关速度。

    7. 总结和推荐


    总结:
    IRFR420PBF-VB MOSFET 凭借其低门极电荷、高可靠性和全参数化表征,在电力转换和控制应用中表现出色。其卓越的性能使其成为众多应用的理想选择。
    推荐:
    对于需要高性能、高可靠性的电力转换和控制应用,强烈推荐使用 IRFR420PBF-VB。同时,为确保最佳性能,用户需结合具体应用场景设计合理的散热和驱动电路。

IRFR420PBF参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1Ω@VGS = 10 V ID = 3.1 A
Id-连续漏极电流 4.5A
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 60W
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFR420PBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR420PBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR420PBF IRFR420PBF数据手册

IRFR420PBF封装设计

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