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VBM165R10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,10A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220具有较低的导通电阻。适用于各种要求高功率开关和电源管理的场合。
供应商型号: VBM165R10 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM165R10

VBM165R10概述


    产品简介


    VBM165R10 / VBMB165R10 / VBL165R10
    N-Channel 650V Power MOSFET (D-S)
    这是一款高性能的N沟道650V功率MOSFET(漏极到源极),适用于高电压环境下的开关电源、功率因数校正电源以及照明系统等多种应用领域。本产品以其低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)等优点著称,特别适合服务器和电信电源等需要高可靠性的场合。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(VDS) | 650 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | 2 | - | 4 | V |
    | 零栅压漏极电流(IDSS) | - | - | 10 | μA |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | 0.16 | - | Ω |
    | 总栅极电荷(Qg) | - | 43 | - | nC |
    | 栅源电荷(Qgs) | - | 5 | - | nC |
    | 栅漏电荷(Qgd) | - | 22 | - | nC |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg)和栅源电荷(Qgs):显著降低了开关过程中的能量损耗。
    2. 低导通电阻(RDS(on)):在典型温度下,导通电阻仅为0.16Ω,确保了高效率。
    3. 低栅源阈值电压(VGS(th)):使得驱动更加容易,从而简化了电路设计。
    4. 高可靠性:通过严格的电气特性和高温测试,确保长期稳定运行。
    5. 适用广泛的应用场景:包括服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各种照明系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源:这些电源通常需要高效率和稳定性。VBM165R10在高电压下具有出色的开关性能和低导通损耗,适合此类应用。
    2. 工业控制:该MOSFET在高负载环境下也能保持稳定的性能,适用于工业控制系统。
    使用建议
    1. 电路布局:确保电路板上的引脚布局合理,减少寄生电感,以提高整体性能。
    2. 散热管理:由于其工作电压较高,散热管理至关重要。选择合适的散热器并正确安装,可以有效降低温度并延长使用寿命。
    3. 过载保护:在设计电路时,要考虑到可能的过载情况,添加必要的保护措施,如保险丝或限流电阻。

    兼容性和支持


    该产品与多种标准封装(如TO-220AB、TO-263等)兼容,方便用户根据具体需求选择合适的封装。制造商提供了详尽的技术文档和支持,用户可以通过官方渠道获取进一步的支持和帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定正确的驱动电压?
    - 答:建议使用10V作为驱动电压,以确保MOSFET正常工作。同时要注意不要超过最大栅源电压限制±30V。
    2. 问:在高温度下工作,是否会损害产品?
    - 答:在极端温度下工作,可能会导致性能下降。请确保在工作温度范围内使用,并适当增加散热措施。
    3. 问:如何处理漏极到源极电压波动?
    - 答:可以使用软启动电路来避免瞬间电压冲击,减少电压波动对MOSFET的影响。

    总结和推荐


    综上所述,VBM165R10 / VBMB165R10 / VBL165R10是一款在高电压应用中表现出色的N沟道功率MOSFET。其低栅极电荷、低导通电阻以及高可靠性等特点使其成为服务器电源、电信电源、PFC和各类照明系统等领域的理想选择。对于寻求高效、稳定电源解决方案的设计者来说,这款产品是一个值得信赖的选择。

VBM165R10参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 10A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM165R10厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM165R10数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM165R10 VBM165R10数据手册

VBM165R10封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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型号 价格(含增值税)
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