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IRFB4321PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,100A,RDS(ON),9.8mΩ@10V,11.76mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-IRFB4321PBF TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFB4321PBF

IRFB4321PBF概述


    产品简介


    产品名称:IRFB4321PBF-VB
    产品类型:N-Channel 150V(D-S)功率MOSFET
    主要功能:
    - 雷电FET®功率MOSFET
    - 最大结温可达175°C
    - 通过100% Rg和UIS测试
    应用领域:
    - 不间断电源
    - 交流/直流开关模式电源
    - 照明系统
    - 同步整流
    - 直流/直流转换器
    - 电机驱动开关
    - 直流/交流逆变器
    - 太阳能微型逆变器
    - 类D音频放大器

    技术参数


    - 基本规格:
    - 漏源电压 (VDS): 150V
    - 门源电压 (VGS): ±20V
    - 最大连续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C: 100A
    - TC = 125°C: 70A
    - 单脉冲漏极电流 (t = 100 μs): 320A
    - 最大耗散功率 (TJ = 25°C): 375W
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 150V
    - 门阈值电压 (VGS(th)): 3-5V
    - 门体泄漏电流 (IGSS): ±250nA
    - 门源电荷 (Qg): 6nC (VDS = 75V, VGS = 10V, ID = 60A)

    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 3425pF (VGS = 0V, VDS = 75V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 535pF
    - 反向传输电容 (Crss): 26pF
    - 开启延时时间 (td(on)): 5-30ns (VDD = 75V, RL = 1.25Ω)
    - 关闭延时时间 (td(off)): -28至56ns
    - 下降时间 (tf): -8至16ns
    - 热阻特性:
    - 结到环境(PCB安装)热阻 (RthJA): 40°C/W
    - 结到外壳(漏极)热阻 (RthJC): 0.4°C/W

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 高耐热能力:最高结温可达175°C,适用于高热环境下的稳定运行。
    - 高可靠性:通过100% Rg和UIS测试,确保长期可靠性。
    - 快速响应:较低的开启和关闭延迟时间,使得该MOSFET适用于需要快速切换的应用场合。
    市场竞争力:
    - 广泛的应用领域:如不间断电源、照明系统、太阳能微型逆变器等,满足不同领域的高需求。
    - 高性价比:结合高性能与成本效益,适合大规模生产和广泛应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在不间断电源系统中,作为主控开关,确保电源的持续供应。
    - 在太阳能微型逆变器中,提供高效的电力转换,提高能量利用效率。
    使用建议:
    - 考虑到高工作环境温度,需要确保良好的散热措施,以保持MOSFET的稳定运行。
    - 选择合适的门电阻,以确保开关过程中的低损耗。
    - 在设计电路时,要考虑到输入和输出电容对系统稳定性的影响,进行适当的补偿。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与标准的TO-220AB封装兼容,易于安装和更换。
    支持:
    - 提供详细的安装指南和技术文档。
    - 厂商提供技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中得到充分的支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定最佳的门电阻值?
    - 解决方法:根据门源电荷(Qg)参数选择适当的门电阻,通常建议在1.5至5Ω之间。

    - 问题2:在高热环境下,如何保证MOSFET的稳定性?
    - 解决方法:采用有效的散热措施,例如使用较大的散热片或者增加散热风扇,确保结温不超过最大允许值。

    总结和推荐


    总结:
    IRFB4321PBF-VB是一款高性能的N-Channel 150V MOSFET,具备高耐热能力和良好的开关特性。其广泛的应用领域和高性价比使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐:
    - 推荐用于需要高可靠性和高效能的应用场合,特别是在不间断电源、太阳能微型逆变器等领域。
    - 建议在设计过程中充分考虑散热和门电阻的选择,以确保最佳性能和稳定性。

IRFB4321PBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Id-连续漏极电流 9.7A
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 10V,5.7A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
栅极电荷 25nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 330pF@25V
最大功率耗散 48W
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFB4321PBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFB4321PBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFB4321PBF IRFB4321PBF数据手册

IRFB4321PBF封装设计

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