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VBFB1630

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,25A,RDS(ON),32mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.4Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中大功率场效应管的应用场景,例如电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。
供应商型号: 11MZ-VBFB1630
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB1630

VBFB1630概述

    VBFB1630 MOSFET 技术手册解读

    1. 产品简介


    VBFB1630 是一款由 VBsemi 生产的N沟道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具有高效能的特点,适用于多种电力应用场合,如电源转换和DC/DC转换器中的二次同步整流。这款MOSFET通过了所有生产测试,符合RoHS指令和无卤素要求,适合环保要求较高的应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅极-源极电压 (VGS) | -20 | — | +20 | V |
    | 漏极-源极电压 (VDS) | — | 60 | — | V |
    | 连续漏极电流 (TJ = 150°C) | — | — | 100 | A |
    | 栅极电阻 (Rg) | 0.4 | 2 | 4 | Ω |
    | 漏极-源极导通电阻 (RDS(on)) | — | 0.03 @ VGS=10V | — | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | — | 46 @ VDS=30V, VGS=10V | — | nC |
    这些参数表明,该MOSFET具有出色的电流承载能力和低导通电阻,适合高效率的应用需求。

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在标准条件下(VGS = 10V),RDS(on) 仅为0.03Ω,这意味着更低的功耗和更高的效率。
    - 高可靠性和测试保障:100% Rg和UIS测试,确保产品在高温、高湿度等严苛条件下的稳定性和可靠性。
    - 环保材料:采用无卤素材料制造,符合IEC 61249-2-21标准,符合现代电子产品的环保趋势。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在笔记本电脑、手机充电器、电源适配器等小型消费电子产品中,用于同步整流和DC/DC转换。
    - 在服务器、电信设备等大型数据中心中,用于电源管理,提高能源利用率。
    使用建议:
    - 确保电路设计能够适应可能的瞬间过载电流,例如,单脉冲雪崩电流能力可达40A,建议设计时留有足够的安全裕度。
    - 考虑到高温环境对导通电阻的影响,推荐使用热阻较低的PCB布局以提升整体散热效果。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与各种主流的电源管理IC和控制器高度兼容,适用于多种不同的应用场合。
    - 支持:VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括应用指南、常见问题解答等文档资源,确保用户在使用过程中获得全方位的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    1. Q: 设备在高温环境下运行时表现不佳
    - A: 建议检查电路板的散热设计,增加散热片或风扇等散热措施。
    2. Q: 产品出现异常发热现象
    - A: 可能是由于驱动电路设计不合理导致的。请优化驱动信号,确保合适的栅极驱动电阻(Rg)值,以减少开关损耗。
    3. Q: 遇到瞬态过压问题
    - A: 可以考虑增加外部保护电路,如TVS二极管,以保护MOSFET免受瞬态过压损害。

    7. 总结和推荐


    总体来看,VBFB1630 MOSFET是一款具有高性价比的高性能产品,特别适合需要低功耗和高可靠性的应用。其出色的电气特性和稳定性使其成为电源管理和转换领域的理想选择。推荐给对产品效率和环保要求较高的客户。

VBFB1630参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@10V,36mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 25A
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB1630厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB1630数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB1630 VBFB1630数据手册

VBFB1630封装设计

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