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P75N75

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-P75N75 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P75N75

P75N75概述

    # P75N75-VB N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    产品简介


    P75N75-VB 是一款 N-Channel 80V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用先进的 TrenchFET® 技术制造。该产品适用于多种电力电子应用,如主侧开关、同步整流、直流到交流逆变器以及LED背光驱动等。

    技术参数


    以下是P75N75-VB的主要技术规格:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 80V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏电流 ( \( TJ \) = 150°C): 28.6A (Tb = 25°C), 24.9A (Tb = 70°C)
    - 脉冲漏电流 ( \( t \) = 100 μs): 350A ( \( TC \) = 25°C)
    - 单脉冲雪崩电流: 30A
    - 单脉冲雪崩能量: 45mJ ( \( TC \) = 25°C)
    - 最大功率耗散 ( \( TC \) = 70°C): 180W ( \( TC \) = 25°C)
    - 额定工作范围
    - 操作结温和存储温度范围: -55°C 到 150°C
    - 焊接推荐温度: 峰值温度 260°C
    - 典型规格
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 80V ( \( V{GS} \) = 0V, \( ID \) = 250 μA)
    - 漏源导通电阻 ( \( V{GS} \) = 10V): 7mΩ
    - 零栅极电压漏电流 \( I{DSS} \): 1μA ( \( V{DS} \) = 80V, \( V{GS} \) = 0V, \( TJ \) = 55°C)
    - 门极泄漏电流 \( I{GSS} \): ±100nA ( \( V{DS} \) = 0V, \( V{GS} \) = ±20V)

    产品特点和优势


    P75N75-VB 的显著特点是:
    - TrenchFET® 技术: 提供低导通电阻和高可靠性。
    - 全面测试: 所有参数均经过 100% 测试,包括 Rg 和 UIS。
    - 广泛的适用性: 适合多种电力转换和控制应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 主侧开关: 在开关电源中作为主开关使用。
    - 同步整流: 用于提高效率的同步整流电路。
    - LED背光: 用于调节和控制LED灯条。
    使用建议
    - 在高电流应用中注意散热设计,确保热稳定性。
    - 在选择门极电阻时,可以参考数据手册中的门极电阻规格,以优化开关速度。

    兼容性和支持


    P75N75-VB 可以方便地集成到现有的设计中,并且供应商提供详尽的技术支持。若需要进一步的帮助或技术支持,可通过服务热线 400-655-8788 联系台湾VBsemi公司。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 在高温度下电流限制降低: 数据手册显示,温度升高会降低连续电流能力。可以通过更好的散热设计来缓解这一问题。
    2. 如何正确设置门极电阻: 数据手册提供了详细的门极电阻参数,可以根据这些参数选择合适的门极电阻。
    解决方案
    - 电流限制降低: 添加散热片或改善空气流通,以增加热传导效率。
    - 门极电阻设置: 根据负载需求选择合适值的门极电阻,参考数据手册的建议值。

    总结和推荐


    P75N75-VB 在设计上采用了先进的TrenchFET技术,具备出色的性能和广泛的应用范围。其出色的可靠性使其成为电力电子应用的理想选择。鉴于其卓越的特性及广泛的应用领域,我们强烈推荐这款产品给需要高性能、高可靠性的电力电子工程师们。
    联系方式:
    服务热线: 400-655-8788
    官方网站: www.VBsemi.com

P75N75参数

参数
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P75N75厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P75N75数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P75N75 P75N75数据手册

P75N75封装设计

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