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VBFB165R02S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,2A,RDS(ON),2300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: VBFB165R02S TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB165R02S

VBFB165R02S概述


    产品简介


    本产品为一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换和控制应用。MOSFET以其低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度及高电流承载能力而闻名,广泛应用于直流-交流逆变器、开关电源、电机驱动器等领域。该型号为VBM165R02S/VBMB165R02S和VBE165R02S/VBFB165R02S,具有高耐压能力和优异的动态性能。

    技术参数


    - 最高耐压(VDS):650V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)) @ VGS=10V:2.3Ω
    - 总栅极电荷(Qg):31nC
    - 栅源电荷(Qgs):4.6nC
    - 栅漏电荷(Qgd):17nC
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):10A
    - 连续漏极电流(ID):1.6A(@25°C),1.0A(@100°C)
    - 最大脉冲功耗(PD):35W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 热阻:RthJA - 最大值65°C/W;RthJC - 最大值3.6°C/W
    - 雪崩能量(EAS):250mJ
    - 重复性雪崩电流(IAR):1.5A
    - 重复性雪崩能量(EAR):3.5mJ
    - 动态dv/dt额定值:3.0V/ns

    产品特点和优势


    - 高电压隔离:2.5kVRMS,确保在高压环境下安全运行。
    - 低热阻:具备出色的散热性能,适合高功率应用。
    - 高可靠性:通过严格的测试验证,具有良好的稳定性和耐用性。
    - 低RDS(on):保证在高电流条件下依然保持低损耗。
    - 无铅选项:符合RoHS标准,环保友好。

    应用案例和使用建议


    应用案例:此款MOSFET常用于需要高耐压、快速开关的应用中,如直流-交流逆变器、电源开关、电机控制器等。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到器件的工作环境温度,选择合适的散热措施以保证器件正常工作。
    - 尽量减少电路中的寄生电感,避免电流突变引发的电磁干扰。
    - 根据负载情况合理设定驱动电阻(RG),以达到最优的开关性能。

    兼容性和支持


    本产品支持直接替换市场上主流的同类型号,便于用户进行升级或替换。公司提供全面的技术支持和售后服务,确保用户在应用过程中遇到任何问题都能得到及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高温环境下MOSFET工作不稳定。
    - 解决方案:增加散热片或风扇以增强散热效果;考虑使用更高额定温度的产品。
    2. 问题:在高电流冲击下出现故障。
    - 解决方案:检查驱动电路,确认电流冲击在允许范围内;增加保护电路,如瞬态电压抑制二极管(TVS)。
    3. 问题:开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方案:优化电路布局,减少寄生电感;降低开关频率或选择更高频响应的驱动电路。

    总结和推荐


    总体而言,这款VBM165R02S/VBMB165R02S和VBE165R02S/VBFB165R02S MOSFET是一款高度可靠且性价比高的器件,特别适用于需要高电压、高效率和高可靠性的应用场景。无论是在工业控制还是消费电子产品中,它都是理想的选择。我们强烈推荐这一系列的产品,尤其是那些对器件性能有较高要求的用户。

VBFB165R02S参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.3Ω@ 10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 2A
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB165R02S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB165R02S数据手册

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VBFB165R02S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
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4000+ ¥ 1.5836
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型号 价格(含增值税)
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