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VBZP10N90S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=900V;ID =10A;RDS(ON)=750mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3V;
供应商型号: VBZP10N90S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZP10N90S

VBZP10N90S概述


    产品简介


    VBZP10N90S 是一款高性能的 N 沟道超结功率 MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS),适用于多种高压应用。该器件在服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及高强度放电灯(HID)和荧光灯球泡照明等领域有着广泛的应用。

    技术参数


    - 主要参数:
    - 击穿电压 VDS:最大 900 V
    - 导通电阻 RDS(on):最大 0.75 Ω (VGS=10 V)
    - 总栅极电荷 QG:最大 65 nC
    - 输入电容 Ciss:典型值 1102 pF
    - 最大功耗 PD:126 W
    - 最大单脉冲雪崩能量 EAS:216 mJ
    - 绝对最大温度范围:-55 °C 到 +150 °C
    - 环境要求:
    - 环境温度范围:-55 °C 到 +150 °C
    - 最大峰值焊接温度:300 °C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 QG: 有效降低开关损耗,提升效率。
    - 低输入电容 Ciss: 减少开关过程中输入端的寄生效应。
    - 超低栅极电荷 QG: 提升器件在高频开关条件下的表现。
    - 额定雪崩能量 UIS: 具备较高的抗浪涌能力,适合恶劣的工作环境。
    - 配置灵活: 支持 TO-220AB、TO-247AC 等多种封装形式。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 服务器和电信电源: 由于其高耐压和低损耗特性,非常适合用于数据中心服务器和电信基础设施中的电源转换。
    - 开关模式电源 SMPS: 作为转换器中的关键部件,能够有效提高电源转换效率。
    - 荧光灯球泡照明: 高效且可靠的开关控制能力使其在照明系统中发挥重要作用。
    使用建议:
    - 在选择工作电压时,需要考虑器件的最大耐压值,避免超过 VDS 的极限。
    - 为了减少开关损耗,建议使用较小的栅极电阻(RG)以加速开关过程。
    - 保持良好的散热措施,特别是在高负载和高温环境中使用时,以防止过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性: VBZP10N90S 支持 TO-220AB 和 TO-247AC 封装,易于与其他电子元器件和 PCB 进行集成。
    - 技术支持: 台湾VBsemi提供详细的技术文档和支持服务,包括产品设计指南和应用实例。如有任何技术问题,可通过官方渠道联系厂家获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q:工作时温度过高怎么办?
    - A: 检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇增强散热效果。

    - Q:开关过程中损耗过大怎么办?
    - A: 调整栅极电阻 RG 大小,尽量减小其值以加快开关速度。

    总结和推荐


    VBZP10N90S 是一款高性能、高效能的 N 沟道超结功率 MOSFET,尤其适合在高电压和高频应用中使用。其低栅极电荷和高雪崩能量使其具备出色的可靠性与稳定性。对于需要高效、可靠电力转换的服务器、电信、电源及照明系统,这款产品无疑是理想的选择。我们强烈推荐此产品,尤其是对于那些对开关效率有严格要求的应用场景。

VBZP10N90S参数

参数
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 10A
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 750mΩ(mΩ)
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZP10N90S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZP10N90S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZP10N90S VBZP10N90S数据手册

VBZP10N90S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 14.3519
100+ ¥ 13.2888
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900+ ¥ 11.6941
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