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NTD2955-1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-25A,RDS(ON),66mΩ@10V,80mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.43Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: 14M-NTD2955-1G TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD2955-1G

NTD2955-1G概述

    NTD2955-1G-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD2955-1G-VB 是一款由 VBsemi 生产的 P 沟道 60V(D-S)功率 MOSFET,采用先进的 TrenchFET® Power MOSFET 技术。这款 MOSFET 主要用于负载开关(Load Switch)应用中,具有高可靠性、低导通电阻(RDS(on))等特点。适用于各种需要高效电能转换和电流控制的应用场景,例如电源管理、电机驱动、通信设备等领域。

    技术参数


    以下是 NTD2955-1G-VB 的关键技术规格:
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 导通电阻(RDS(on)) | VGS = -10V | 0.066 | - | - | Ω |
    VGS = -4.5V | 0.080 | - | - | Ω |
    | 漏极-源极击穿电压 | VGS = 0V | - | 60 | - | V |
    | 连续漏极电流 - | 20 | 70 | A |
    | 脉冲漏极电流 - | - | 100 | A |
    | 额定功耗 35 | - | - | W |
    | 热阻抗(稳态) | 结至环境 | 33 | - | 40 | °C/W |
    | 热阻抗(稳态) | 结至外壳 | 0.98 | - | 1.2 | °C/W |

    产品特点和优势


    NTD2955-1G-VB 的主要特点包括:
    - 高效的 TrenchFET® Power MOSFET 技术
    - 经过 100% 的 UIS 测试确保可靠性和稳定性
    - 低导通电阻(RDS(on)),减少功耗并提高效率
    - 宽泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C)
    这些特性使得 NTD2955-1G-VB 在高可靠性要求和恶劣环境下的应用中表现优异,具有明显的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    NTD2955-1G-VB 常用于负载开关应用中,例如电源管理、电机驱动和通信设备。在实际应用中,需要注意以下几点:
    - 在选择驱动电路时,应确保驱动电压(VGS)符合产品规格,避免过高或过低的驱动电压导致损坏。
    - 由于该器件为 P 沟道 MOSFET,在使用时需要注意正确的连接方式和电路设计,以确保正常工作。

    兼容性和支持


    NTD2955-1G-VB 与大多数标准的 SMD 封装设备兼容,适用于多种 PCB 设计。厂商提供了全面的技术支持和服务热线(400-655-8788),以帮助客户解决任何技术和应用问题。

    常见问题与解决方案


    根据手册内容,常见的问题及解决方案如下:
    1. 问:如何正确安装 NTD2955-1G-VB?
    - 答:确保按照手册上的尺寸和规格正确安装在 1" x 1" FR4 板上,避免焊接温度过高导致器件损坏。
    2. 问:如何测量 NTD2955-1G-VB 的 RDS(on)?
    - 答:在 VGS = -10V 时测量,可参考典型特性图以获取准确数值。
    3. 问:如何测试 NTD2955-1G-VB 的击穿电压?
    - 答:确保在 VGS = 0V 的情况下进行测试,具体步骤参见手册中的 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 部分。

    总结和推荐


    综上所述,NTD2955-1G-VB 是一款高可靠性的 P 沟道 MOSFET,具有优秀的导通电阻和宽泛的工作温度范围。其广泛的应用场景和良好的技术支持使其在市场上具备较强的竞争力。对于需要高效电流控制和负载开关应用的工程师来说,NTD2955-1G-VB 是一个值得推荐的选择。

NTD2955-1G参数

参数
最大功率耗散 35W
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.080Ω@VGS = - 4.5 V,ID = - 20 A
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NTD2955-1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD2955-1G数据手册

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