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IRF630STRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),260mΩ@10V,370mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-IRF630STRLPBF TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF630STRLPBF

IRF630STRLPBF概述

    IRF630STRLPBF-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRF630STRLPBF-VB 是一款来自 VBsemi 的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。作为表面贴装器件,它特别适用于需要高开关速度和低导通电阻的应用场合。该器件采用 D2PAK 封装形式,具有良好的散热性能,同时具备反向恢复特性和高可靠性。

    技术参数


    主要电气参数
    - 最大耐压(VDS):200 V
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V 时,典型值为 0.30 Ω
    - 栅源电荷(Qg):最大值为 43 nC
    - 输入电容(Ciss):最大值为 800 pF
    - 输出电容(Coss):最大值为 240 pF
    - 栅漏电荷(Qgd):最大值为 23 nC
    最大工作电流
    - 连续漏极电流(ID):在 VGS = 10 V 时,25 °C 下为 10 A,在 100 °C 下为 6.7 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):最大值为 36 A
    热阻参数
    - 最大结到环境热阻(RthJA):最大值为 40 °C/W
    其他关键参数
    - 反向恢复电压(dV/dt):最大值为 5.0 V/ns
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):最大值为 250 mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):最大值为 9.0 A
    - 重复雪崩能量(EAR):最大值为 7.4 mJ

    产品特点和优势


    IRF630STRLPBF-VB MOSFET 在同类产品中表现出显著的优势:
    1. 快速开关:快速开关时间使其适用于高频应用。
    2. 简单驱动需求:简单的驱动要求降低了系统复杂度。
    3. 易于并联:该特性有助于提高电流处理能力。
    4. 符合RoHS标准:无卤素,符合环境保护要求。
    5. 高可靠性:具备重复雪崩测试结果,适用于工业和汽车应用。

    应用案例和使用建议


    该器件广泛应用于电源转换、电机控制和电池管理等领域。为了充分发挥其优势,以下是使用建议:
    1. 电源转换应用:利用其低导通电阻和快速开关性能,可以有效降低功率损耗。
    2. 电机驱动:适用于工业自动化和机器人控制系统,特别是在需要频繁启停的环境中。
    3. 电池管理系统:可作为保护电路的一部分,用于过流保护和短路保护。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑散热措施以保持良好的工作温度。
    - 通过优化驱动电路,进一步提升开关性能和减少开关损耗。

    兼容性和支持


    该器件与标准的 SMD 组件兼容,便于在印刷电路板上进行布局。VBsemi 提供详尽的技术支持文档,以及在线技术支持,帮助客户解决可能遇到的问题。此外,还提供样品和评估板,方便客户进行原型开发。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时发热严重
    - 解决办法:确保良好的散热设计,增加散热片或使用散热膏。

    2. 问题:频繁出现故障
    - 解决办法:检查是否超出了最大额定值,如电压、电流等。进行适当降额使用,确保器件安全运行。

    3. 问题:开关速度慢
    - 解决办法:优化驱动电路,减小驱动电阻以加快开关速度。

    总结和推荐


    IRF630STRLPBF-VB MOSFET 是一款高性能的功率 MOSFET,具有快速开关、低导通电阻和高可靠性等特点。适用于多种工业应用和高频电源转换器中。经过上述详细分析,我们强烈推荐使用此产品,特别是在需要高效能和可靠性的应用场景中。

IRF630STRLPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 0.3Ω@VGS = 10 V,ID = 5.4 A(typ)
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 74W
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF630STRLPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF630STRLPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF数据手册

IRF630STRLPBF封装设计

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型号 价格(含增值税)
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