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VBTA1220N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,1A,RDS(ON),200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.6Vth(V) 封装:SC-75-3
供应商型号: 14M-VBTA1220N SC-75-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBTA1220N

VBTA1220N概述

    VBTA1220N N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBTA1220N 是一款专为智能手机和平板电脑设计的高性能N沟道MOSFET,属于TrenchFET®系列。它的主要功能包括低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性,特别适用于直流/直流转换器、升压转换器、负载开关及过压保护开关等应用场合。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS):20V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在 VGS = 4.5V时:0.270Ω
    - 在 VGS = 2.5V时:0.390Ω
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C时:0.7A
    - TC = 70°C时:0.6A
    - 脉冲漏极电流(IDM):6A
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC = 25°C时:0.5W
    - TC = 70°C时:0.3W
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境热阻抗(RthJA):250°C/W(最高)至300°C/W(最高)
    - 最大结到脚(漏极)稳态热阻抗(RthJF):225°C/W(最高)至270°C/W(最高)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:提供更低的功耗和更高的效率,特别是在高电流应用中表现出色。
    - 快速开关速度:降低开关损耗,提高整体电路效率。
    - 高可靠性:通过100%栅极电阻测试,确保长期稳定可靠运行。
    - 紧凑封装:采用SC-75封装,适用于空间受限的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 智能手机和平板电脑中的DC/DC转换器和升压转换器。
    - 负载开关和过压保护开关。
    使用建议:
    - 在设计系统时,应考虑MOSFET的工作温度和环境温度限制,以避免因过热而导致性能下降。
    - 使用适当的散热措施,如添加散热片或采用更大的PCB面积,以降低MOSFET的温升。
    - 确保PCB布局合理,减少寄生电感和电阻的影响,从而提升整体性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 可以与大多数常见的智能手机和平板电脑主板和电源模块兼容。
    - 与其他N沟道MOSFET类似的应用场景也可兼容。
    - 支持和服务:
    - 客户可以联系VBsemi官方服务热线(400-655-8788)获取技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 高温下电流输出能力下降:这是由于MOSFET的热阻抗导致的。建议增加散热措施,如加大散热面积或使用散热片。
    2. 启动延迟时间较长:检查输入电压和外部电阻设置,确保符合推荐值。可以通过优化电路设计来缩短延迟时间。
    解决方案:
    - 使用更高散热性能的材料和散热装置,如金属散热片或风扇。
    - 调整电路中的外接电阻值,确保符合器件要求。

    7. 总结和推荐


    VBTA1220N MOSFET凭借其出色的性能和可靠的稳定性,在智能手机和平板电脑等消费电子领域的应用中表现出色。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效能源管理的理想选择。综上所述,强烈推荐VBTA1220N作为高效且可靠的电子元件使用。

VBTA1220N参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 600mV
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 1A
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V
通用封装 SC-75-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBTA1220N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBTA1220N数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBTA1220N VBTA1220N数据手册

VBTA1220N封装设计

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