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FDMC8882

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,40A,RDS(ON),11mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.3Vth(V);DFN8(3X3)
供应商型号: 14M-FDMC8882 QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDMC8882

FDMC8882概述

    FDMC8882-VB 30V N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDMC8882-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-通道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要用于直流/直流转换器中的低侧开关。它适用于笔记本电脑和平板电脑等便携式电子设备中,也常用于游戏设备。这款MOSFET采用无卤素设计,确保在生产和使用过程中对环境友好。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 门源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C): 17.1A (25°C),70°C时为3.1A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 100A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 10A
    - 雪崩能量 (EAS): 5mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 60W (25°C时30W)
    - 结温及存储温度范围 (TSTG): -55°C 到 150°C
    - 热阻参数
    - 结到环境的最大热阻 (RthJA): 27°C/W(≤10s),最大值为34°C/W
    - 结到脚(漏)的稳态热阻 (RthJF): 6°C/W(最大值7.5°C/W)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30V (VGS = 0V, ID = 1mA)
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 1.0V 至 3.0V (ID = 250μA)
    - 动态参数
    - 输入电容 (CISS): 900pF (VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (COSS): 236pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 20pF (VDS = 15V, VGS = 10V, ID = 10A)
    - 总栅极电荷 (Qg): 20nC (VDS = 15V, VGS = 10V, ID = 10A)


    3. 产品特点和优势


    - 无卤素设计:环保友好,适合绿色制造。
    - TrenchFET® 功率MOSFET技术:相较于传统设计,具有更低的导通电阻(RDS(on)),有助于提高效率并减少发热。
    - 100% RG和UIS测试:确保产品的高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 笔记本电脑和平板电脑:作为电源管理电路中的关键组件,用于调节电池输出电压。
    - 游戏设备:用于快速响应的电力管理系统,保证高效的能源利用。
    - 使用建议
    - 散热管理:考虑到最大功率耗散为60W(25°C时30W),需要有效的散热设计以防止过热。
    - 选择合适的驱动电路:根据动态参数(如输入电容、输出电容等)来选择合适的驱动电路,以保证良好的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FDMC8882-VB与各种常见的DC/DC转换器兼容,可用于多种不同的电路设计中。
    - 支持:VBsemi提供详细的技术文档和客户支持,确保用户能够充分利用产品的性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间工作后出现过热现象。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用散热片或散热风扇来辅助散热。
    - 问题2:驱动电路不稳定,导致MOSFET无法正常开关。
    - 解决方案:重新检查并调整驱动电路的设计,尤其是注意栅极电阻的设置。

    7. 总结和推荐


    FDMC8882-VB是一款优秀的N-通道30V MOSFET,具有出色的耐高温、高效能等特点。它在各种应用中表现出色,特别是在需要高性能和可靠性的场合。综合考虑其性能和适用性,强烈推荐在需要进行高效电源管理和低侧开关的应用中使用FDMC8882-VB。

FDMC8882参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 60W
栅极电荷 24nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 40A
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 900pF
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDMC8882厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDMC8882数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDMC8882 FDMC8882数据手册

FDMC8882封装设计

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