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IPD053N08N3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,110A,RDS(ON),5.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.89Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD053N08N3G TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD053N08N3G

IPD053N08N3G概述

    IPD053N08N3G-VB N-Channel 80V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    IPD053N08N3G-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种类型的MOSFET因其低导通电阻和高开关速度而被广泛应用于各种电力电子应用中,例如开关电源、同步整流、直流/交流逆变器和LED背光。它特别适用于初级侧开关应用。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):80V
    - 最大连续漏极电流 (ID):75A (25°C), 2.7A (70°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):150A
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.5V 至 4.0V
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS):1μA (VDS = 80V, VGS = 0V)
    - 最大功率耗散 (PD):62.5W (25°C), 40W (70°C)
    - 静态导通电阻 (RDS(on)):0.0050Ω (VGS = 10V, ID = 20A), 0.0070Ω (VGS = 6V, ID = 15A), 0.0087Ω (VGS = 5V, ID = 10A)
    - 输入电容 (Ciss):1855pF (VDS = 40V, VGS = 0V)
    - 输出电容 (Coss):950pF
    - 反向传输电容 (Crss):76pF
    - 总栅极电荷 (Qg):35.5nC (VDS = 40V, VGS = 10V)
    - 上升时间 (tr):8ns 至 16ns
    - 栅极电阻 (Rg):0.5Ω 至 1.3Ω (f = 1MHz)

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:提供低导通电阻和高电流处理能力。
    2. 100% 测试:所有产品均通过 Rg 和 UIS 测试,确保可靠性和一致性。
    3. 广泛的温度范围:可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作。
    4. 高可靠性:采用高质量材料制造,具有出色的耐热性和耐压性。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:适用于电源转换电路中的初级侧开关。
    - 同步整流:用于提高电源效率和减少热量产生。
    - 直流/交流逆变器:适合需要高开关频率和快速响应的应用。
    - LED背光:提供稳定的电流控制,以实现均匀的亮度输出。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,建议使用适当的散热措施,以避免过热导致的故障。
    - 在设计电路时,注意匹配合适的驱动电压和栅极电阻,以确保最佳性能和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准PCB封装,符合TO-252封装规范。
    - 技术支持:提供详尽的技术文档和在线技术支持,可通过服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q:MOSFET的最大功率耗散是多少?
    - A: 在25°C时为62.5W,在70°C时为40W。
    - Q:如何避免过热?
    - A: 确保散热良好,可使用散热片或散热器辅助降温。
    - Q:MOSFET的栅极电阻应该如何选择?
    - A: 推荐使用0.5Ω至1.3Ω之间的栅极电阻,具体值取决于电路设计要求。

    总结和推荐


    IPD053N08N3G-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,非常适合在多种电力电子应用中使用。它的低导通电阻、高可靠性和宽工作温度范围使其成为理想的选择。强烈推荐使用该产品,尤其是在对开关速度和效率有较高要求的应用场合。
    如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请随时联系VBsemi的服务热线。

IPD053N08N3G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 0.0087Ω@VGS = 5.0 V,ID = 10 A
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
最大功率耗散 62.5W
Id-连续漏极电流 75A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.855nF
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IPD053N08N3G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD053N08N3G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD053N08N3G IPD053N08N3G数据手册

IPD053N08N3G封装设计

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