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QM3002J

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 30V 6.8A 22mΩ@4.5V SOT89
供应商型号: 14M-QM3002J SOT89
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM3002J

QM3002J概述

    QM3002J-VB N-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    QM3002J-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的电气特性和可靠性。这款产品主要用于便携式设备中的负载开关,适用于各种电源管理应用。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 6.8A (TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 30A
    - 最大功率耗散 (PD): 6.3W (TC = 25°C),4W (TC = 70°C)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 150°C
    - 热阻 (RthJA): 最大值为 50°C/W

    产品特点和优势


    - Halogen-Free: 环保无卤素材料,符合RoHS标准,适合绿色环保需求。
    - TrenchFET® Power MOSFET: 使用先进的沟槽技术,提供更低的导通电阻(RDS(on))和更高的效率。
    - 高可靠性: 额定工作温度范围广,适用于恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关: QM3002J-VB 特别适用于便携式设备中的负载开关,如手机、平板电脑和其他便携式电子产品。
    - 使用建议: 在设计负载开关电路时,应考虑散热问题,特别是在高温环境下。可以使用适当的散热片来确保设备正常运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: QM3002J-VB 采用SOT89封装,易于集成到现有电路板中。与其他主流设备制造商的产品兼容。
    - 支持: 厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括在线技术支持和快速响应的客户服务中心。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备过热怎么办?
    - 解决方法: 确保设备周围有足够的散热空间,使用散热片或其他冷却措施以降低温度。
    2. 问题: 设备无法正常启动?
    - 解决方法: 检查电路连接是否正确,确保所有引脚没有松动或损坏。

    总结和推荐


    QM3002J-VB N-Channel MOSFET 凭借其出色的电气性能和广泛的应用范围,是一款非常值得推荐的产品。它不仅符合环保要求,而且在设计和制造过程中注重可靠性,适用于各种便携式设备的负载开关应用。如果您需要一款高效可靠的MOSFET,QM3002J-VB 是一个理想的选择。

QM3002J参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6.8A
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-89
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM3002J厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM3002J数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM3002J QM3002J数据手册

QM3002J封装设计

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