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VBZJ12N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,4A,RDS(ON),76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.53Vth(V) 封装:SOT223-3适用于需要小功率场效应管的应用场景,例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。
供应商型号: 14M-VBZJ12N06
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZJ12N06

VBZJ12N06概述


    产品简介


    N-Channel 0-V (D-S) MOSFET
    - 产品类型:这是一种N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-channel MOSFET)。
    - 主要功能:这种MOSFET主要用于开关应用,如便携式设备中的负载开关。
    - 应用领域:广泛应用于便携式电子设备、负载开关等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压(VDS) | 0 | 0 | 60 | V |
    | 栅极-源极电压(VGS) | ±20 V |
    | 持续漏极电流(TJ = 150 °C) 7.2 | 20 | A |
    | 漏极-源极导通电阻(RDS(on))| 0.07 | 0.08 Ω |
    | 门极电荷(Qg) | 10 | 22 | 33 | nC |
    | 反向恢复时间(trr) | 10 | 20 | 40 | ns |
    | 逆向恢复电荷(Qrr) | 10 | 20 nC |

    产品特点和优势


    - 卤素自由:符合环保标准。
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽工艺,降低导通电阻,提高效率。
    - 低导通电阻(RDS(on)):典型值为0.07 Ω(VGS = 10 V),在大电流应用中具有出色的性能。
    - 高可靠性:绝对最大额定值确保设备在极限条件下仍能安全运行。
    - 热阻抗低:确保在高功率操作下具有良好的散热性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET常用于便携式设备中的负载开关,例如手机和平板电脑。由于其低导通电阻和良好的散热性能,它在这些应用中表现出色。
    使用建议
    - 电源管理:在设计负载开关时,考虑电源管理要求,选择合适的驱动电压(VGS)以确保MOSFET处于最优工作状态。
    - 散热设计:在高功耗应用中,应设计有效的散热系统以避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数需要高可靠性的便携式电子设备,与现有的便携式设备设计高度兼容。
    - 支持和维护:制造商提供全面的技术支持和文档,包括详细的使用手册和技术规格书,方便用户进行安装和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定适当的驱动电压?
    - 解决方法:参考技术手册,确保驱动电压(VGS)高于阈值电压(VGS(th)),但不超过最大允许电压(±20 V)。
    2. 问题:如何处理热问题?
    - 解决方法:确保电路设计有足够的散热措施,如加装散热片或使用散热膏。根据技术手册提供的数据表计算热阻抗并采取相应的散热策略。

    总结和推荐


    总结:
    - 优点:
    - 低导通电阻(RDS(on)),提高能效。
    - 卤素自由,环保友好。
    - 先进的沟槽工艺,提升性能和可靠性。
    推荐:
    综上所述,这款N-Channel MOSFET非常适合便携式电子设备中的负载开关应用。它的低导通电阻、高可靠性以及良好的散热性能使其成为设计师的理想选择。我们强烈推荐此产品用于各类高可靠性要求的应用场合。

VBZJ12N06参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@10V,85mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.53V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZJ12N06厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZJ12N06数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZJ12N06 VBZJ12N06数据手册

VBZJ12N06封装设计

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