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VBZM50N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,80A,RDS(ON),6mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源模块、电机驱动器、照明控制模块等领域,可用于开关电源、电动汽车、LED照明系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。
供应商型号: VBZM50N03 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM50N03

VBZM50N03概述

    VBZM50N03 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBZM50N03 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的性能和高可靠性。该产品主要用于开关电源、马达控制、电池管理和各种电子设备的保护电路。其核心特性包括极低的导通电阻和快速开关速度,使其适用于高频、高效率的应用场景。

    2. 技术参数


    - 主要规格:
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175°C):20A(在 TA = 25°C 时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):200A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):39A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):94.8mJ
    - 连续源极-漏极二极管电流 (IS):50A(在 TC = 25°C 时)
    - 最大功率耗散 (PD):120W(在 TC = 25°C 时)
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS):30V(在 VGS = 0V,ID = 250μA 时)
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):1.0 ~ 2.5V(在 VDS = VGS,ID = 250μA 时)
    - 零栅压漏电流 (IDSS):1μA(在 VDS = 30V,VGS = 0V 时)
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss):1600pF
    - 输出电容 (Coss):525pF
    - 反向传输电容 (Crss):370pF
    - 总栅极电荷 (Qg):35 ~ 45nC
    - 上升时间 (tr):11 ~ 17ns
    - 热阻参数:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):32 ~ 40°C/W(在 t ≤ 10 秒时)
    - 最大结到壳体热阻 (RthJC):0.5 ~ 0.6°C/W

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽技术,使得导通电阻更低,功耗更小。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品的稳定性和可靠性。
    - 符合 RoHS 规范:环保设计,满足欧盟 RoHS 指令的要求。
    - 快速开关特性:适用于高频应用,减少损耗。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于各类开关电源、电池管理电路、马达控制等。
    - 使用建议:建议在设计中充分考虑散热问题,以保证产品的长期可靠运行。同时,在高温环境下应适当降低负载,避免过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与标准 TO-220AB 封装兼容,可广泛应用于现有设计中。
    - 支持:提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何选择合适的散热器?
    - A: 根据产品的最大功率耗散和热阻参数选择合适的散热器。参考手册中的热阻数据计算散热需求。
    - Q:在高频应用中,栅极驱动电阻的选择会影响哪些性能指标?
    - A: 栅极驱动电阻影响开关时间和驱动损耗。较大的栅极驱动电阻会增加开关延迟和上升时间,但也会减少驱动损耗。

    7. 总结和推荐


    VBZM50N03 在众多 N 沟道 MOSFET 中表现出色,凭借其低导通电阻、快速开关特性和可靠性,在高频和大功率应用中具有显著优势。推荐在需要高效率、高频工作的场合使用该产品。

VBZM50N03参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 80A
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,9mΩ@4.5V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM50N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM50N03数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM50N03 VBZM50N03数据手册

VBZM50N03封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
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