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IPP048N04

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,110A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-IPP048N04 TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP048N04

IPP048N04概述

    IPP048N04-VB N-Channel 40-V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    IPP048N04-VB 是一款 N-Channel 40-V(漏源电压)MOSFET,采用先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术。这款 MOSFET 广泛应用于同步整流和电源管理领域,是高效能电源转换的理想选择。其紧凑的设计使得它非常适合表面安装,具有高可靠性及稳定的电气特性。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 40 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): \(\pm\) 20 V
    - 连续漏极电流 \(ID\):
    - \(TJ = 25°C\): 110 A
    - \(TJ = 70°C\): 90 A
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 270 A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 320 V
    - 最大功耗 \(PD\):
    - \(TA = 25°C\): 312 W
    - \(TA = 70°C\): 200 W
    - 电气特性
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 40 V
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10 V\): 6 mΩ
    - \(V{GS} = 4.5 V\): 7 mΩ
    - 动态特性:
    - 输入电容 \(C{iss}\): 29 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 750 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 310 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 130 nC

    3. 产品特点和优势


    IPP048N04-VB 的主要优势在于其低导通电阻和高耐压能力,使其在功率转换应用中表现出色。该 MOSFET 具有优异的热稳定性,在高温环境下依然能够保持稳定的性能。此外,其快速开关时间和低栅极电荷使其非常适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:IPP048N04-VB 常用于电源转换电路中的同步整流。例如,在一个典型的开关电源设计中,IPP048N04-VB 作为主开关管可以显著提高系统的整体效率。

    - 使用建议:为了最大限度地发挥 IPP048N04-VB 的性能,建议采用适当的散热措施,特别是在高功率应用场景中。此外,应确保电路中的驱动电压满足 MOSFET 的需求,以避免由于过高的栅极电压导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    IPP048N04-VB 采用 TO-220AB 封装,适用于多种标准电源模块。台湾 VBsemi 提供了详尽的技术支持和售后服务,用户可以通过其官方网站或客服热线获取更多信息和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何确定最佳的工作温度范围?
    - 解决方案:IPP048N04-VB 的工作温度范围为 -55°C 到 +150°C。建议在实际应用中进行温升测试,以确保器件在所需温度范围内正常工作。
    - 问题 2:在高频应用中如何降低损耗?
    - 解决方案:通过选择合适的驱动频率和电流限制,可以有效减少 IPP048N04-VB 在高频应用中的损耗。同时,适当增加散热面积可以进一步提高其工作效率。

    7. 总结和推荐


    IPP048N04-VB 是一款高性能的 N-Channel 40-V MOSFET,特别适合于电源管理和同步整流应用。其卓越的电气特性和可靠性使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐在需要高效能功率转换的应用中使用 IPP048N04-VB。
    如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请随时联系我们的客服团队:400-655-8788。

IPP048N04参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 100A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@ 10V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP048N04厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP048N04数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP048N04 IPP048N04数据手册

IPP048N04封装设计

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