处理中...

首页  >  产品百科  >  QM3016D

QM3016D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N沟道 30V 100A 2mΩ@10V TO-252
供应商型号: 14M-QM3016D TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM3016D

QM3016D概述

    QM3016D-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    QM3016D-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有出色的电流处理能力和低导通电阻,特别适用于电源管理和直流/直流转换器的应用场合。此外,它还广泛用于服务器电源和其他需要高效电力传输的系统中。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 漏极-源极电压(VDS): 30 V
    - 栅极-源极电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流(TJ = 175°C): 100 A(TC = 25°C),80 A(TC = 70°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 300 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 94.8 mJ
    - 最大功率耗散(PD): 235 W(TC = 25°C),165 W(TC = 70°C)
    - 静态特性:
    - 漏极-源极击穿电压(VDS): 30 V
    - 栅极-源极阈值电压(VGS(th)): 1.5 V 至 2.5 V
    - 导通状态电阻(RDS(on)): 0.002 Ω(VGS = 10 V,ID = 3 A)
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss): 520 pF
    - 输出电容(Coss): 1525 pF
    - 反向传输电容(Crss): 770 pF
    - 总栅极电荷(Qg): 151 nC

    产品特点和优势


    - 高效能:导通电阻低,使得该 MOSFET 在高电流条件下具有较低的功耗,从而提高系统效率。
    - 可靠设计:100% 测试 Rg 和 UIS(无法承受应力测试),保证产品的可靠性。
    - 环保认证:符合 RoHS 指令,确保产品符合环保标准。
    - 广泛适用:适用于多种应用场合,如 OR-ing 电路、服务器、直流/直流转换器等。

    应用案例和使用建议


    QM3016D-VB 主要应用于服务器电源和直流/直流转换器中,以实现高效的电力管理。例如,在服务器电源中,该 MOSFET 用于调整和控制输出电压,确保稳定供电。在实际应用中,建议通过并联多个 MOSFET 来增加电流承载能力,特别是在高功率应用中。同时,注意散热设计以避免过热现象。

    兼容性和支持


    QM3016D-VB 采用 TO-252 封装,便于焊接安装。它与其他常见的电子元器件兼容,可广泛应用于各种电源管理系统中。VBsemi 提供完善的技术支持,包括详细的安装指南和技术文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q:最大连续漏极电流是多少?
    - A: 最大连续漏极电流为 100 A(TC = 25°C),但实际使用中建议不超过 80 A 以防止过热。

    - Q:如何改善散热性能?
    - A: 采用散热片或散热器可以显著提升散热效果。同时,确保 PCB 设计时有足够的铜箔面积来分散热量。

    总结和推荐


    QM3016D-VB N-Channel 30-V MOSFET 具有优秀的性能和可靠性,适用于多种高要求的电力管理系统。其低导通电阻、高功率处理能力和广泛的温度范围使其成为市场上具有竞争力的产品。强烈推荐在需要高效电力管理和稳压的场合中使用此产品。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的服务热线 400-655-8788。

QM3016D参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 100A
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM3016D厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM3016D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM3016D QM3016D数据手册

QM3016D封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.3104
库存: 100
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 6.55
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336