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NTR1P02LT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-NTR1P02LT1G SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTR1P02LT1G

NTR1P02LT1G概述

    NTR1P02LT1G-VB P-Channel 20-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTR1P02LT1G-VB 是一款适用于多种电路应用的P沟道20V(D-S)MOSFET。它具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关性能的特点,适用于负载开关、PA开关以及DC/DC转换器等应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | VGS=-10V, ID=-3A | - | 0.060 | - | Ω |
    VGS=-4.5V, ID=-2.5A | - | 0.065 | - | Ω |
    VGS=-2.5V, ID=-2A | - | 0.080 | - | Ω |
    | 漏极连续电流 (ID) | TJ=150°C | -3.5 | - | -1.2 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) | - | - | - | -10 | A |
    | 最大耗散功率 (PD) | TC=25°C | 2.5 | - | - | W |
    | 结温范围 | -55到150°C | - | - | - | °C |
    | 最大结-环境热阻 (RthJA) | - | - | - | 100 | °C/W |
    | 开启延迟时间 (td(on)) | VDD=-10V, RL=2.4Ω, ID=-3.1A, VGEN=-4.5V, Rg=1Ω | - | 22 | 33 | ns |
    | 关闭延迟时间 (td(off)) | - | - | 28 | 42 | ns |

    产品特点和优势


    NTR1P02LT1G-VB 的主要特点如下:
    - 无卤素:符合IEC 61249-2-21标准。
    - TrenchFET® 功率MOSFET:卓越的性能和可靠性。
    - 100% Rg 测试:保证每个产品都经过全面测试。
    - 符合RoHS指令:环保设计。
    这些特点使得NTR1P02LT1G-VB 在工业、通信和消费电子等领域中具有显著的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:用于控制电流流动。
    - PA开关:提高射频系统的效率。
    - DC/DC转换器:实现电源管理。
    使用建议:
    - 为了优化性能,建议在高频开关应用中采用较低的栅极驱动电压(如-4.5V)以减少功耗。
    - 确保散热系统能够有效散热,避免因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    NTR1P02LT1G-VB 采用SOT-23封装,易于集成到现有的电路板上。它具有良好的兼容性,可与其他标准电子元件配合使用。VBsemi公司提供全面的技术支持,确保客户在使用过程中获得帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | MOSFET 温度过高 | 使用更高效的散热器或改进电路设计。 |
    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻,增加驱动电流。 |
    | MOSFET 损坏 | 检查输入电压是否超过最大额定值。 |

    总结和推荐


    NTR1P02LT1G-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于各种电力管理和开关应用。其卓越的性能和可靠的设计使其在市场上具有较高的竞争力。我们强烈推荐使用这款产品,特别是对于需要高可靠性和良好散热性能的应用场景。
    如果您有任何疑问或需要技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

NTR1P02LT1G参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 2.5W
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 3.1nC@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 835pF@10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 0.061Ω@VGS = - 2.5 V,ID = - 3.7 A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTR1P02LT1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTR1P02LT1G数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTR1P02LT1G NTR1P02LT1G数据手册

NTR1P02LT1G封装设计

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