处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFB4228PBF

IRFB4228PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,100A,RDS(ON),9.8mΩ@10V,11.76mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-IRFB4228PBF TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFB4228PBF

IRFB4228PBF概述

    IRFB4228PBF-VB 技术手册分析报告

    1. 产品简介


    IRFB4228PBF-VB 是一款由 VBsemi 提供的高性能 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),最大耐压为 150V(漏源极间电压)。它隶属于 ThunderFET® 系列,专为高效能和低功耗应用设计。此款 MOSFET 广泛应用于各种电源管理和功率转换领域,如不间断电源(UPS)、开关模式电源(SMPS)、同步整流、电机驱动器、太阳能微型逆变器及音频放大器等。
    主要功能
    - 实现高效率的开关操作。
    - 支持宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),确保在极端环境下稳定运行。
    - 具备出色的热管理能力,尤其适用于需要快速散热的应用场景。
    应用领域
    - 工业控制设备
    - 消费类电子产品
    - 可再生能源设备
    - 音频系统

    2. 技术参数


    以下是 IRFB4228PBF-VB 的关键技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 150 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 漏极连续电流(TJ=150°C) | ID | 70 | 100 | 250 | A |
    | 脉冲漏极电流(t=100 μs) | IDM | 320 A |
    | 开启状态电阻(VGS=10V) | RDS(on) | - | 0.0085 | - | Ω |
    | 零栅电压漏极电流(TJ=175°C) | IDSS | - | - | 2 mA | A |
    | 有效热阻抗(PCB安装) | RthJA | 40 °C/W |
    此外,IRFB4228PBF-VB 还具备卓越的动态性能,包括快速的开关速度、较低的输入输出电容和反向传输电容。这些特性使其在高频开关电路中表现出色。

    3. 产品特点和优势


    - ThunderFET® 技术:采用先进的制造工艺,提供卓越的开关效率。
    - 高温适应性:支持高达 175°C 的工作温度,适合恶劣环境下的应用。
    - 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试,确保产品耐用性。
    - 低导通电阻:典型值仅为 0.0085 Ω @ VGS=10V,可显著降低功耗。
    - 兼容性强:广泛适配于不同负载条件下的应用,具有较高的灵活性。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    1. 不间断电源(UPS):通过高效的能量转换减少能源损耗。
    2. 电机驱动器:优化电流控制,提高电机运行效率。
    3. 太阳能微型逆变器:快速处理大电流并有效防止过热。
    使用建议:
    - 在高压环境中,注意适当降额使用以避免器件损坏。
    - 选择合适的散热片和 PCB 设计以优化热传导性能。
    - 根据实际工作频率调整栅极电阻值,确保最佳开关性能。

    5. 兼容性和支持


    IRFB4228PBF-VB 的封装为 TO-220AB,标准引脚排列为 G(栅极)、D(漏极)、S(源极)。该封装支持广泛的应用设计,同时满足 RoHS 和无卤素环保标准。VBsemi 提供完善的客户支持,包括详细的规格文档和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 确保良好的散热设计,选择合适尺寸的散热片。 |
    | 开关速度较慢 | 减小栅极电阻值,优化电路布局。 |
    | 导通电阻增大 | 确认 VGS 达到阈值电压以上,避免偏置不当。|

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    IRFB4228PBF-VB 是一款性能优越、可靠性和稳定性兼备的 MOSFET,特别适合要求高效率和宽温域的工作环境。其出色的导通电阻、快速开关速度和卓越的热管理能力使其成为电源管理领域的理想选择。
    推荐结论:
    我们强烈推荐 IRFB4228PBF-VB 用于各类工业和消费级电子设备中。无论是对于需要高效能转换的电路还是在恶劣环境下工作的设备,这款 MOSFET 都能提供卓越的表现和支持。

IRFB4228PBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFB4228PBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFB4228PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFB4228PBF IRFB4228PBF数据手册

IRFB4228PBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 4.7663
库存: 50
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 23.83
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504