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VBZM8N50

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,500V,8A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.4Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: VBZM8N50 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM8N50

VBZM8N50概述

    VBZM8N50 500V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBZM8N50 是一款 500V 额定电压的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高功率应用。这种 MOSFET 以其低栅极电荷 Qg 和改善的门极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性而著称,是高性能开关电源、电机驱动和工业控制系统的理想选择。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 500 V
    - 最大连续漏电流 (ID): 8.0 A(TC = 25 °C); 5.8 A(TC = 100 °C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 37 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 290 mJ
    - 最大重复雪崩电流 (IAR): 9.2 A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR): 17 mJ
    - 最大耗散功率 (PD): 170 W(TC = 25 °C)
    - 关态电阻 (RDS(on)): 1.1 Ω(VGS = 10 V, ID = 5.5 A)
    - 最大门极电荷 (Qg): 49 nC
    - 最大输入电容 (Ciss): 1400 pF(VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz)
    - 反向传输电容 (Crss): 7.1 pF
    - 有效输出电容 (Cosseff.): 96 pF
    - 封装: TO-220AB

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg): 低栅极电荷使得驱动要求简化,从而降低系统成本和复杂度。
    2. 改进的耐久性: 包括门极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性,提高了设备的可靠性和使用寿命。
    3. 全特性电容和雪崩电压及电流: 这些特性确保了产品在各种条件下的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    VBZM8N50 可以用于需要高耐压和大电流的场合,例如电机驱动和开关电源。实际使用时,应注意以下几点:
    - 散热管理: 高功率应用中,必须注意良好的散热设计以避免过热。
    - 驱动电路设计: 使用适当的门极驱动电阻 (Rg),以确保低栅极电荷和快速开关。

    兼容性和支持


    VBZM8N50 采用标准 TO-220AB 封装,易于集成到现有系统中。制造商提供详尽的技术支持,包括详细的测试电路图和波形图,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 产品启动时出现高温
    - 解决方法: 确保合理的散热设计,例如添加散热片或风扇。
    - 问题: 门极驱动电流不足
    - 解决方法: 检查门极电阻 (Rg) 的值,必要时调整以获得适当的驱动电流。
    - 问题: 产品在高负载下频繁出现故障
    - 解决方法: 检查整个电路设计和散热管理,确保符合产品规格要求。

    总结和推荐


    VBZM8N50 是一款性能优异、耐用性强的 N-Channel MOSFET,适用于高功率应用。它的低栅极电荷和改进的耐久性使其成为许多工业和商业应用的理想选择。鉴于其出色的性能和广泛应用范围,强烈推荐在合适的项目中使用 VBZM8N50。

VBZM8N50参数

参数
Id-连续漏极电流 8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.4V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM8N50厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM8N50数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM8N50 VBZM8N50数据手册

VBZM8N50封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
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