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IRFS4610TRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-IRFS4610TRLPBF TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFS4610TRLPBF

IRFS4610TRLPBF概述


    产品简介


    IRFS4610TRLPBF-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道100V(漏-源电压)TrenchFET® 功率MOSFET。该器件主要用于高可靠性应用,如电源管理、电机驱动和开关电源等领域。其主要特点包括高耐温能力和符合RoHS标准的材料,使其广泛应用于工业和消费电子领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏-源电压 \( V{DS} \):100 V
    - 栅-源电压 \( V{GS} \):±20 V
    - 连续漏电流 \( I{D(TC=25°C)} \):100 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):280 mJ
    - 最大功率耗散 \( PD(TC=25°C) \):250 W
    工作条件
    - 最高结温:175°C
    - 最低工作温度:-55°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 175°C
    热阻
    - PCB安装时的结到环境热阻 \( R{thJA} \):40°C/W
    - 空气中的结到外壳热阻 \( R{thJC} \):0.6°C/W
    静态特性
    - 漏-源击穿电压 \( V{DS} \):100 V
    - 栅阈电压 \( V{GS(th)} \):2 V 至 4 V
    - 栅-体漏电 \( I{GSS} \):±100 nA
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \):1 µA
    - 导通状态漏极电流 \( I{D(on)} \):120 A
    动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \):6550 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):665 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \):265 pF
    - 总栅电荷 \( Qg \):105 nC 至 160 nC

    产品特点和优势


    - 高可靠性:能够承受高达175°C的结温,适用于极端工作环境。
    - 环保材料:符合RoHS标准,无铅设计。
    - 高性能:具有低导通电阻,保证高效的电流传输能力。
    - 兼容性好:采用标准TO-263封装,易于集成到现有系统中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFS4610TRLPBF-VB适用于各种高要求的应用场合,如:
    - 电源管理:作为开关电源中的主控开关管。
    - 电机驱动:用于电动机控制电路中,提供高精度的电流控制。
    - 通信设备:为通信电源系统提供稳定可靠的电源转换。
    使用建议
    - 散热设计:由于其高功耗能力,需要良好的散热设计,避免过热。
    - 驱动电路:为了获得最佳性能,需配合适当的驱动电路,确保快速的开关速度和低损耗。
    - 布局考虑:在PCB布局时,尽量将该器件靠近电源输入端,并保持栅极和源极走线尽可能短,以减少杂散电感和电容效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用标准的TO-263封装,可以方便地替换其他同类型号的产品。
    - 支持信息:VBsemi公司提供了详尽的技术文档和在线技术支持,客户可以通过其官方网站或服务热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 解决方案:增加散热片,优化散热设计,确保器件处于正常工作温度范围内。

    2. 驱动电路失效
    - 解决方案:检查驱动电路,确保提供足够的栅极电压和正确的驱动信号波形。

    3. 输出不稳定
    - 解决方案:检查电源输入稳定性,确保输入电压和电流在规定范围内。

    总结和推荐


    IRFS4610TRLPBF-VB 是一款性能优异的N沟道MOSFET,适用于多种高要求应用。其高可靠性和低损耗特性使其在市场上具备较强的竞争力。推荐在需要高功率密度和可靠性的应用中使用。总体而言,这是一款值得信赖的产品。

IRFS4610TRLPBF参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.55nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 0.03Ω@VGS = 10 V,ID = 30 A,TJ = 175 °C
最大功率耗散 250W
栅极电荷 50nC
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFS4610TRLPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFS4610TRLPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFS4610TRLPBF IRFS4610TRLPBF数据手册

IRFS4610TRLPBF封装设计

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