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ZXMC3A16DN8TC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-ZXMC3A16DN8TC SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMC3A16DN8TC

ZXMC3A16DN8TC概述

    ZXMC3A16DN8TC-VB N-Channel and P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMC3A16DN8TC-VB 是一款 N-Channel 和 P-Channel 30 V(D-S)MOSFET,由台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产。这款 MOSFET 在电机驱动和其他应用中表现出色。其独特的 TrenchFET® 技术使其在低导通电阻和高电流承载能力方面具有显著优势。

    技术参数


    | 参数 | N-Channel | P-Channel |
    |
    | 阈值电压 VGS(th) | -4.1 mV/°C | 5 mV/°C |
    | 源漏极饱和电压 VDS | ≤30 V | ≤30 V |
    | 漏源极击穿电压 VDS | ≤250 V | ≤250 V |
    | 漏源极导通电阻 RDS(on) | 0.018 Ω @ 10 V GS | 0.044 Ω @ -10 V GS |
    | 源漏极电流 ID | ≤8 A @ 25 °C | ≤8 A @ 25 °C |
    | 源漏极脉冲电流 ISM | ≤40 A | ≤40 A |
    | 体二极管正向电压 VSD | 0.81 V @ 5.4 A | -0.77 V @ -2 A |
    | 体二极管反向恢复时间 trr | 2 ns @ 5 A, dI/dt = 100 A/µs | 31 ns @ -5 A, dI/dt = -100 A/µs |
    | 最大功率耗散 PD | 3.1 W @ 25 °C | 3.2 W @ 25 °C |

    产品特点和优势


    - Halogen-free:根据 IEC 61249-2-21 定义,符合无卤素标准。
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用 TrenchFET® 技术,确保低导通电阻和高可靠性。
    - Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC:符合欧盟 RoHS 指令。
    - 高效能:在多种应用场景中表现出色,尤其适用于电机驱动。

    应用案例和使用建议


    ZXMC3A16DN8TC-VB MOSFET 可用于移动电源银行中的电池管理、电机驱动以及其他电力电子系统。在使用时应注意:
    - 散热设计:由于该 MOSFET 具有较高的功率耗散,必须进行适当的散热设计以防止过热。
    - 工作温度范围:该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,但在极端温度下使用时需特别注意。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXMC3A16DN8TC-VB 支持标准 SO-8 封装,可轻松集成到现有系统中。
    - 厂商支持:台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 提供全面的技术支持和售后服务,包括技术文档和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 过温保护失效:
    - 解决方法:增加外部散热装置,如散热片或散热风扇。
    2. MOSFET 烧毁:
    - 解决方法:检查电路设计,确保合适的栅极电阻 Rg 和正确的驱动信号。
    3. 漏电问题:
    - 解决方法:确保焊接质量和正确安装,避免物理损伤。

    总结和推荐


    ZXMC3A16DN8TC-VB 是一款出色的 N-Channel 和 P-Channel MOSFET,具备出色的低导通电阻和高温稳定性,适合在电机驱动、移动电源等领域使用。尽管在某些极端情况下可能需要额外的散热措施,但总体而言,它是一款值得推荐的产品。

ZXMC3A16DN8TC参数

参数
FET类型 N+P沟道
Id-连续漏极电流 8A,-8A
Rds(On)-漏源导通电阻 N 0.024Ω@VGS = 4.5 V,ID = 6.6 A(typ);P 0.05Ω@VGS = -4.5 V,ID = -5 A(typ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V(N),-2V(P)
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZXMC3A16DN8TC厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMC3A16DN8TC数据手册

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ZXMC3A16DN8TC封装设计

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