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IRF7471TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M--IRF7471TRPBF SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7471TRPBF

IRF7471TRPBF概述

    IRF7471TRPBF-VB N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRF7471TRPBF-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道40V(D-S)MOSFET,适用于同步整流和电源转换领域的应用,特别是在二次侧的应用中。该器件采用TrenchFET®技术制造,具有高可靠性、低导通电阻等优点。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):40V
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):ID = 15A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):50A
    - 雪崩能量 (EAS):11mJ
    - 结至环境热阻 (RthJA):17°C/W(典型值)
    - 工作温度范围:Tj = -55°C 至 150°C
    - 导通电阻 (RDS(on)):VGS = 10V时为0.014Ω;VGS = 4.5V时为0.016Ω
    - 输入电容 (Ciss):2000pF
    - 输出电容 (Coss):260pF
    - 反向传输电容 (Crss):150pF
    - 总栅极电荷 (Qg):33nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):6.7nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):5.1nC
    - 门电阻 (Rg):f = 1MHz时为1.4Ω

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)):该MOSFET在不同栅极电压下的导通电阻非常低,保证了高效能的应用。
    2. 高可靠性:通过100%的Rg测试和UIS测试,确保其在极端条件下的稳定性和可靠性。
    3. 环境友好:符合RoHS和IEC 61249-2-21标准,不含卤素,环保且适用于多种电子产品。
    4. 宽工作温度范围:能够在-55°C至150°C的温度范围内正常工作。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于各种电力变换应用,如同步整流、电源内部电路(POL, IBC)。以下是使用该器件时的一些注意事项和建议:
    - 在进行焊接操作时,请确保焊接温度不超过规定值,以防止损坏。
    - 使用该器件时,建议在电路设计中考虑散热设计,以避免因过热导致的性能下降。
    - 可以通过增加散热片或其他散热措施来提高设备的可靠性。

    兼容性和支持


    - 该器件与标准的8引脚SOIC封装兼容,适用于大多数PCB布局。
    - VBsemi提供了全面的技术支持,包括详细的产品手册、应用指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确选择MOSFET的工作电压?
    - 解决方案:根据具体应用需求和负载情况选择合适的电压等级,通常选择略高于实际电压需求的器件。
    2. 问题:如何降低MOSFET的热损耗?
    - 解决方案:可以通过增加散热片、使用低热阻的散热基板等方式来降低热损耗。
    3. 问题:如何避免过高的栅极电压导致器件损坏?
    - 解决方案:确保栅极电压在规定的范围内,可以添加合适的限压电路来保护器件。

    总结和推荐


    IRF7471TRPBF-VB MOSFET是一款性能优异、可靠性和稳定性俱佳的器件。其低导通电阻、高可靠性、环保特性使其非常适合于各种电力变换应用。我们强烈推荐这款产品给需要高效能电力变换解决方案的设计工程师。
    希望上述内容能够帮助您更好地理解和应用IRF7471TRPBF-VB MOSFET。如有任何进一步的问题或需求,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

IRF7471TRPBF参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7471TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7471TRPBF数据手册

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IRF7471TRPBF封装设计

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