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IPD60R600C6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO252
供应商型号: 14M-IPD60R600C6 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD60R600C6

IPD60R600C6概述

    IPD60R600C6-VB MOSFET 技术手册综述

    1. 产品简介


    IPD60R600C6-VB 是由 VBsemi 生产的一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件广泛应用于多种电力电子系统中,包括但不限于服务器电源、电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、高强度放电(HID)照明及荧光灯镇流器等。这款 MOSFET 凭借其卓越的性能,在众多电力电子应用中展现了极高的可靠性和效率。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS):最大为 650V,适用于宽范围的电力应用。
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):在 ID=250μA 下,栅源电压在 2V 到 4V 范围内变化。
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):在 VGS=10V,ID=4A 下典型值为 13.5mΩ。
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为 16nC。
    - 栅极输入电阻 (Rg):在 1MHz 下典型值为 3.5Ω。
    - 有效输出电容 (Co):根据电压变化,具体参数见手册。
    - 反向传输电容 (Crss):具体数值请参考手册详细数据。
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):最大值为 83mJ。
    - 热阻:结点到外壳的最大热阻 RthJC 为 0.6°C/W,结点到环境的最大热阻 RthJA 为 63°C/W。

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:Qg 最大值仅为 16nC,有助于减少能耗并提高系统效率。
    - 低输入电容:Ciss 最大值为 147pF,降低了系统的输入容性负载。
    - 优异的开关性能:结合低栅极电荷和快速开关时间,有效减少了开关损耗。
    - 高可靠性:通过反复测试验证,可承受高达 83mJ 的单脉冲雪崩能量,确保在极端条件下的稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 服务器电源:利用其低导通电阻特性,可显著降低功耗,提高系统效率。
    - 荧光灯镇流器:快速开关时间和低栅极电荷有助于提升驱动效率和使用寿命。
    - 工业控制:广泛应用于各种高压、高速开关场合,如电机控制和变频器。
    使用建议:
    - 在使用前,务必详细阅读并遵循制造商提供的安装和操作指南,特别是在涉及高电压和电流的应用中。
    - 确保设计电路时留有足够的散热措施,避免因过热而导致的器件损坏。
    - 针对不同的应用场景,合理选择合适的驱动电路以优化整体性能。

    5. 兼容性和支持


    该产品与同类规格的其他 MOSFET 设备具有良好的兼容性,可在标准 PCB 上进行焊接安装。VBsemi 提供了详尽的技术文档和支持资源,包括用户手册、安装指南和技术咨询服务,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开机时器件发热严重。
    - 解决方案:检查 PCB 布局是否合理,确保有足够的散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 问题2:输出电流波动大。
    - 解决方案:重新校准驱动信号,确保驱动电路工作正常;检查负载是否稳定。
    - 问题3:出现异常振荡。
    - 解决方案:添加适当的缓冲电路或减小驱动信号的上升沿速度。

    7. 总结和推荐


    总结:IPD60R600C6-VB MOSFET 展现出了出色的性能和可靠性,特别适合在需要高效率和高功率密度的应用中使用。其紧凑的设计和低功耗特性使得该产品成为现代电力电子系统中不可或缺的一部分。
    推荐:鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐 IPD60R600C6-VB MOSFET 用于需要高效能和可靠性的电力电子系统中。无论是工业控制还是消费电子应用,该产品都能提供稳定的性能表现。

IPD60R600C6参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.56nF@ 25V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.9V@ 100uA
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 2.5W
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 39nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 9.4mΩ@ 10V,12A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD60R600C6厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD60R600C6数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD60R600C6 IPD60R600C6数据手册

IPD60R600C6封装设计

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