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VBM17R10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,10A,RDS(ON),1400mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-VBM17R10
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM17R10

VBM17R10概述


    产品简介


    基本信息
    本文介绍的产品是一款高性能N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),型号为VBM17R10。该产品广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、高强度放电灯(HID)照明、荧光灯镇流器照明及工业应用。
    主要功能
    - 提供低导通电阻和快速开关性能。
    - 支持低栅极电荷和输入电容,减少开关和导通损耗。
    - 具备重复性雪崩能量额定值,确保更高的可靠性。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压(VDS):700V
    - 最大漏源导通电阻(RDS(on)):25℃时0.053Ω(VGS=10V)
    - 最大总栅极电荷(Qg):43nC(VGS=10V, ID=8A, VDS=560V)

    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):700V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 持续漏电流(TJ=150℃):10V时36A
    - 最大功耗(PD):取决于散热条件
    - 最高工作温度范围:TJ, Tstg -55至+150℃
    - 热阻抗
    - 最大结到环境热阻(RthJA):60°C/W
    - 最大结到外壳热阻(RthJC):0.8°C/W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(VDS):700V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2~4V
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±100nA (VGS=±20V)

    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):0pF
    - 输出电容(Coss):无具体数值,但提供两种等效电容计算方式
    - 反向传输电容(Crss):无具体数值

    - 封装信息
    - 封装类型:TO-220AB
    - 封装尺寸:见技术手册图

    产品特点和优势


    1. 低损耗:VBM17R10具有低漏源导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),可以显著降低开关损耗和导通损耗。
    2. 高效能:高雪崩能量额定值(UIS),使其能够承受反复的瞬态高压,提高了整体系统的可靠性和耐用性。
    3. 集成特性:内建反向二极管特性,简化电路设计并提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在服务器和电信电源供应系统中,VBM17R10被用于高效的直流-直流转换,提高能源利用率。
    - 在工业应用中,特别是在需要处理高功率需求的环境中,该产品表现出色。
    使用建议
    - 由于其低漏源导通电阻特性,使用时应注意散热管理,以避免过温损坏。
    - 在高频应用中,应考虑外部电路设计以优化栅极驱动信号,减少杂散电感的影响。

    兼容性和支持


    - VBM17R10与其他同类MOSFET产品具有良好的兼容性,但需注意不同型号之间规格差异。
    - 厂商提供详尽的技术支持文档和在线帮助资源,便于用户解决各种技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理过温问题?
    - 答:安装适当的散热片或冷却系统,保持工作温度在推荐范围内。
    2. 问:如何选择正确的驱动电阻(Rg)?
    - 答:根据应用要求调整Rg,通常情况下,选择9.1Ω左右的值可以获得较优的开关速度和性能平衡。

    总结和推荐


    综合评价
    VBM17R10是一款高度可靠的N沟道功率MOSFET,具有出色的性能参数和广泛的应用领域。其在高功率密度应用中表现出色,如服务器电源、电信设备以及工业控制等领域。
    推荐使用
    鉴于其优秀的性能指标和广泛应用前景,强烈推荐VBM17R10用于需要高效能和高可靠性的电子系统设计中。对于要求较高功率密度和散热管理的应用场合,建议进行详细的系统级热设计以充分发挥其性能潜力。

VBM17R10参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM17R10厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM17R10数据手册

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VBM17R10封装设计

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