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NCE3404

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V) 封装:SOT-23-3
供应商型号: NCE3404 SOT-23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE3404

NCE3404概述

    # NCE3404-VB N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    基本介绍
    NCE3404-VB 是一款 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有优异的电气特性和卓越的性能表现。这种类型的 MOSFET 广泛应用于各种电子产品,尤其是在直流到直流转换器 (DC/DC Converter) 中表现出色。

    2. 技术参数


    以下是 NCE3404-VB 的关键技术规格:
    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 \( ID \):
    - \( TJ = 150^{\circ}C \): 6.5 A
    - \( TA = 25^{\circ}C \): 5.3 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 25 A (脉冲宽度≤300 μs,占空比≤2%)
    - 电阻参数:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 \, \text{V} \), \( ID = 3.2 \, \text{A} \): 0.030 Ω
    - \( V{GS} = 4.5 \, \text{V} \), \( ID = 2.8 \, \text{A} \): 0.033 Ω
    - 电容参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 335 pF ( \( V{DS} = 15 \, \text{V}, V{GS} = 0 \, \text{V}, f = 1 \, \text{MHz} \))
    - 输出电容 \( C{oss} \): 45 pF ( \( V{DS} = 15 \, \text{V}, V{GS} = 10 \, \text{V} \))
    - 其他参数:
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 4.5 nC ( \( V{DS} = 15 \, \text{V}, V{GS} = 4.5 \, \text{V} \))

    3. 产品特点和优势


    - Halogen-Free: 按照 IEC 61249-2-21 定义,无卤素。
    - TrenchFET® Power MOSFET: 采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻。
    - 100% Rg 测试: 确保产品的一致性和可靠性。
    - 符合 RoHS 规范: 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    NCE3404-VB 主要应用于直流到直流转换器 (DC/DC Converter)。例如,在开关电源设计中,它可以作为高效能量转换的关键组件。
    使用建议
    - 散热管理: 在高温环境下,建议增加散热措施以避免过热。
    - 测试条件: 在设计和使用时,确保按照数据手册中的条件进行测试和验证。

    5. 兼容性和支持


    NCE3404-VB 与标准的 TO-236 封装兼容。厂商提供全面的技术支持和维护服务,如有任何问题可联系 400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 高温下导通电阻变化较大。
    - 解决方案: 增加散热措施,降低工作温度。

    - 问题2: 栅极电荷较高,导致开关速度减慢。
    - 解决方案: 减小栅极电阻 \( Rg \),提高驱动能力。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    NCE3404-VB 在多个方面表现出色,尤其适合高效率的直流到直流转换应用。其出色的导通电阻和耐热性能使其成为一款可靠且高效的器件。
    推荐
    鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用 NCE3404-VB。如果你需要一个高效、可靠的 N-Channel MOSFET 来提高你的电路性能,NCE3404-VB 是一个理想的选择。

NCE3404参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 5.8mA
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 1.9mW
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 31mΩ
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通道数量 -
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NCE3404厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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