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VBZE30N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: 14M-VBZE30N03 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZE30N03

VBZE30N03概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    该产品是一款N沟道MOSFET,具有优异的电气特性和可靠性。它采用了先进的TrenchFET® Power MOSFET技术,广泛应用于电源管理、服务器、直流-直流转换等领域。

    技术参数


    - 电压特性:
    - 漏源电压(VDS):30 V
    - 额定连续漏电流(TJ = 175 °C):25.8 A(TA = 25 °C),22 A(TA = 70 °C)
    - 脉冲漏电流(IDM):250 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):94.8 mJ
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压(VDS):30 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.005 Ω(VGS = 10 V),0.006 Ω(VGS = 4.5 V)
    - 正向转移电导(gfs):160 S
    - 输入电容(Ciss):525 pF
    - 输出电容(Coss):270 pF
    - 逆向转移电容(Crss):270 pF
    - 总栅极电荷(Qg):61 nC(VGS = 10 V),31.5 nC(VGS = 4.5 V)
    - 动态特性:
    - 开启延迟时间(td(on)):18 ns(VDD = 15 V, RL = 0.625 Ω)
    - 上升时间(tr):11 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):70 ns
    - 下降时间(tf):10 ns
    - 封装:
    - 封装类型:TO-252
    - 最大功耗(PD):205 W(TC = 25 °C),135 W(TC = 70 °C)
    - 热阻(RthJA):32 °C/W(最大值),0.5 °C/W(稳态)

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:100% Rg和UIS测试,确保每一批次的产品均经过严格测试。
    2. 环保合规:符合RoHS Directive 2011/65/EU标准。
    3. 高性能:低RDS(on)和高gfs特性使其在多种应用场景中表现出色。
    4. 广泛的温度适应性:工作温度范围为-55 °C到175 °C。

    应用案例和使用建议


    - OR-ing电路:在高可靠性的电力系统中,MOSFET可以有效地进行电流切换和保护。
    - 服务器:作为关键的电力管理和转换组件,保证系统的稳定运行。
    - DC/DC转换器:在各种功率级别下提供高效的电源转换。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以避免过热损坏。
    - 在选择驱动电路时,确保栅极电阻匹配,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    该产品与大多数主流电源管理和控制电路兼容,适用于各种服务器和工业控制系统。VBsemi公司提供详尽的技术文档和及时的技术支持,帮助客户解决问题并优化应用效果。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 高温环境下的热管理不当导致功耗过高。
    - 解决方案: 设计良好的散热系统,确保器件在正常工作温度范围内运行。
    2. 问题: 开关损耗过大,影响效率。
    - 解决方案: 优化栅极驱动电路,降低栅极电阻以提高开关速度,减少开关损耗。

    总结和推荐


    VBZE30N03 N-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的MOSFET,适用于各种严苛的电力管理系统。它的低RDS(on)、高gfs和宽温度适应性使得其在服务器、DC/DC转换器和其他电力管理应用中表现出色。此外,厂商提供的全面技术支持和服务也增加了其市场竞争力。综合考虑,强烈推荐使用该产品,尤其适合需要高效能、高可靠性的电力管理系统。

VBZE30N03参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 60A
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZE30N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZE30N03数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZE30N03 VBZE30N03数据手册

VBZE30N03封装设计

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