处理中...

首页  >  产品百科  >  NDS8425-NL

NDS8425-NL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,11A,RDS(ON),11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V,15Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-NDS8425-NL SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDS8425-NL

NDS8425-NL概述

    NDS8425-NL-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NDS8425-NL-VB 是一款适用于高边同步整流操作的N沟道30V(D-S)功率MOSFET。它由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产,具有多种特性,使其在笔记本电脑CPU核心电源管理中有出色表现。

    技术参数


    以下是NDS8425-NL-VB的主要技术规格:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 13 A (TC = 25 °C), 9 A (TC = 70 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 45 A
    - 单脉冲雪崩电流 (I2): 2.0 A
    - 雪崩能量 (EAS): 21 mJ
    - 最大耗散功率 (PD): 4.0 W (TC = 25 °C), 2.5 W (TC = 70 °C)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30 V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 1.0 ~ 3.0 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 10 A时为 0.008 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 9 A时为 0.011 Ω
    - 输入电容 (Ciss): 80 pF (VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 165 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 73 pF (VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 (Qg): 15 ~ 23 nC (VDS = 15 V, VGS = 5 V, ID = 10 A)
    - 开启延迟时间 (td(on)): 8 ~ 16 ns (VDD = 15 V, RL = 1.4 Ω, ID ≅ 9 A, VGEN = 4.5 V, Rg = 1 Ω)
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 16 ~ 22 ns (VDD = 15 V, RL = 1.4 Ω, ID ≅ 9 A, VGEN = 4.5 V, Rg = 1 Ω)
    - 源漏二极管反向恢复时间 (trr): 15 ~ 30 ns (IF = 9 A, dI/dt = 100 A/μs, TJ = 25 °C)

    产品特点和优势


    NDS8425-NL-VB 的主要特点是采用先进的TrenchFET技术,适合高边同步整流操作。它经过100% Rg和UIS测试,确保产品质量。关键优势如下:
    - 环保材料:无卤素设计,符合RoHS标准。
    - 高可靠性:通过100% Rg和UIS测试。
    - 优化性能:在高边同步整流操作中表现出色。

    应用案例和使用建议


    NDS8425-NL-VB 广泛应用于笔记本电脑CPU核心电源管理。在这些应用中,它能够提供高效稳定的电力传输。具体使用建议如下:
    - 在选择其他组件时,需考虑NDS8425-NL-VB的电压和电流参数,确保整体系统的稳定运行。
    - 在实际应用中,要特别注意散热设计,以避免过热导致性能下降。

    兼容性和支持


    NDS8425-NL-VB 是SO-8封装,可方便地用于表面贴装工艺。此外,厂商提供详尽的技术支持,包括在线文档、应用指南和客户支持服务。如需更多信息或技术支持,可联系400-655-8788 或访问 www.VBsemi.com。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题1: 产品温度过高
    - 解决方法: 检查散热设计,确保有效的散热机制。
    - 问题2: 性能不稳定
    - 解决方法: 确认连接线路的正确性和质量,检查是否有外部干扰。

    总结和推荐


    NDS8425-NL-VB是一款高性能的N沟道30V MOSFET,尤其适用于笔记本电脑CPU核心电源管理。其独特的无卤素设计和100% Rg、UIS测试确保了高可靠性和稳定性。在实际应用中,合理的设计和适当的散热措施是保证其最佳性能的关键。总体来说,我们强烈推荐使用这款产品,特别是对于注重高性能和稳定性的电源管理系统。

NDS8425-NL参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NDS8425-NL厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDS8425-NL数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDS8425-NL NDS8425-NL数据手册

NDS8425-NL封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.7007
库存: 100
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 3.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0