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NTLJS4114NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,5.8A,RDS(ON),22mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V);DFN6(2X2)
供应商型号: 14M-NTLJS4114NT1G QFN6(2X2)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTLJS4114NT1G

NTLJS4114NT1G概述

    NTLJS4114NT1G-VB N-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTLJS4114NT1G-VB 是一款由VBsemi制造的N沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要适用于直流/直流转换器和高速开关应用。该产品采用了TrenchFET®技术,具有低导通电阻、高可靠性和卤素无害的特点。符合RoHS标准,适用于各种高性能应用。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID):
    - 25°C时为6A
    - 70°C时为5.5A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 25A
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V 时为0.023Ω
    - VGS = 4.5V 时为0.027Ω
    - 总栅电荷 (Qg):
    - VDS = 24V 时为13nC
    - VDS = 15V 时为8.2nC
    - VDS = 8V 时为4.2nC
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 25°C时为2.5W
    - 70°C时为1.6W
    - 热阻 (RthJA): 75°C/W
    - 操作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C至150°C

    产品特点和优势


    NTLJS4114NT1G-VB 的独特之处在于其低导通电阻(RDS(on))和快速的开关速度。其TrenchFET®技术使其在高频率应用中表现出色。此外,它符合RoHS和卤素无害标准,因此在绿色电子产品方面具备竞争优势。它的宽温度范围操作能力也使其在极端环境下依然稳定可靠。

    应用案例和使用建议


    NTLJS4114NT1G-VB 主要应用于DC/DC转换器和高频率开关电路中。例如,在电池充电器、逆变器和电源管理模块中,它可以显著提高系统的效率和可靠性。
    使用建议:
    1. 散热设计: 考虑到高功率损耗,应采用适当的散热措施以避免过热。
    2. 电路布局: 在PCB设计中确保良好的接地和引线布局,以减少寄生效应。
    3. 驱动电路: 使用合适的驱动电路以保证MOSFET在高频切换时的稳定性和高效性。

    兼容性和支持


    NTLJS4114NT1G-VB 与市场上大多数现有的SMD封装兼容,适合广泛的应用。VBsemi提供详尽的技术支持文档,包括详细的安装指南和故障排除技巧,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: MOSFET发热严重
    - 解决方案: 检查散热设计,确认风扇或散热片是否正常工作。
    2. 问题: 开关过程中出现震荡
    - 解决方案: 优化驱动电路,确保足够的栅极驱动电流和适当的栅极电阻。
    3. 问题: 长期运行中性能下降
    - 解决方案: 定期进行电气性能测试,确保工作参数在预期范围内。

    总结和推荐


    总体而言,NTLJS4114NT1G-VB是一款性能优越的N沟道30V MOSFET,适合于需要高效率和高可靠性的直流/直流转换器及高速开关应用。它的低导通电阻和快开关速度使其成为众多工业和消费电子设备的理想选择。强烈推荐使用该产品,并建议配合良好的电路设计和散热措施以充分发挥其性能。
    如需更多技术支持和详细资料,请联系VBsemi服务热线:400-655-8788。

NTLJS4114NT1G参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 QFN-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NTLJS4114NT1G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTLJS4114NT1G数据手册

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NTLJS4114NT1G封装设计

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