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ZXMP10A16KTC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 200W 20V 4V@ 250uA 16.5nC@ 10V 1个P沟道 150V 42mΩ@ 10V,22A 43A 1.055nF TO-252 贴片安装
供应商型号: 14M-ZXMP10A16KTC TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMP10A16KTC

ZXMP10A16KTC概述

    # ZXMP10A16KTC-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMP10A16KTC-VB 是一款 P-通道 100V 的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于电源开关及直流-直流转换器等应用。这款 MOSFET 采用 TrenchFET® 技术,能够在高电压环境下稳定工作,并具备低导通电阻和高可靠性。

    技术参数


    基本参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):-100V
    - 最大栅极-源极电压 (VGS):±20V
    - 最大持续漏电流 (TJ = 150°C):-8.8A
    - 最大脉冲漏电流:-25A
    - 最大单次雪崩电流 (EAS = 16.2mJ):-18A
    - 热阻(环境温度下):50°C/W
    静态特性
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = -10V 下为 0.250Ω
    - 在 VGS = -4.5V 下为 0.280Ω
    - 栅阈电压 (VGS(th)):-1V 至 -2.5V
    - 零栅压漏电流 (IDSS):-1μA
    动态特性
    - 输入电容 (Ciss):1055pF
    - 输出电容 (Coss):65pF
    - 反向传输电容 (Crss):41pF
    - 总栅电荷 (Qg):
    - 在 VGS = -10V 下为 23.2nC
    - 在 VGS = -4.5V 下为 11.7nC
    - 上升时间 (tr):12ns
    - 关断延时时间 (td(off)):33ns
    工作环境
    - 存储和操作温度范围:-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    ZXMP10A16KTC-VB 采用了 TrenchFET® 技术,这使得其具有非常低的导通电阻和较高的功率处理能力。它还通过了 100% Rg 和 UIS 测试,保证了其高可靠性和耐用性。此外,该产品符合 RoHS 指令,是一种环保型电子元件,适用于多种电力转换和控制电路。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZXMP10A16KTC-VB 可广泛应用于电源开关、直流-直流转换器等领域。例如,在一个典型的电源开关应用中,它能够有效地降低功率损耗并提高系统的整体效率。
    使用建议
    - 在使用过程中,请确保电路设计充分考虑到器件的绝对最大额定值,避免超出规定的最大电压和电流。
    - 考虑到热阻的影响,在设计散热系统时应充分考虑这一点,以保证 MOSFET 的长期稳定运行。

    兼容性和支持


    ZXMP10A16KTC-VB 的封装形式为 TO-252,具有标准尺寸和引脚配置,可以方便地与其他 TO-252 封装的器件互换使用。供应商提供了详细的使用手册和技术支持服务,帮助客户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何确定最佳的工作电压和电流?
    - 根据典型特性和绝对最大额定值来选择适当的工作条件。通常建议的工作电压不超过最大值的 70%。

    2. 如何改善散热性能?
    - 在安装时,确保散热片与 MOSFET 尽可能紧密接触,并使用热导率高的导热膏来增强散热效果。
    解决方案
    1. 对于第一个问题,可以参考手册中的典型特性和绝对最大额定值表进行选择。
    2. 对于第二个问题,建议使用高品质的导热材料并优化散热路径。

    总结和推荐


    ZXMP10A16KTC-VB 是一款高性能、高可靠性的 P-通道 MOSFET,适用于各种高压电力转换应用。其低导通电阻和卓越的电气特性使其成为市场上同类产品的佼佼者。无论是用于工业还是消费类电子产品,都值得推荐选用。
    综上所述,ZXMP10A16KTC-VB 是一款值得信赖且性能卓越的电子元器件,适用于需要高效能、高可靠性电子元件的应用场合。

ZXMP10A16KTC参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 200W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
栅极电荷 16.5nC@ 10V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 42mΩ@ 10V,22A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.055nF
Id-连续漏极电流 43A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZXMP10A16KTC厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMP10A16KTC数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMP10A16KTC ZXMP10A16KTC数据手册

ZXMP10A16KTC封装设计

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