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IRF7413TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,11A,RDS(ON),11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V,15Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 21M-IRF7413TRPBF SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7413TRPBF

IRF7413TRPBF概述


    产品简介


    N-Channel MOSFET IRF7413TRPBF-VB
    IRF7413TRPBF-VB是一款N沟道30伏(D-S)的功率MOSFET,适用于笔记本CPU核心高侧开关应用。该产品具有出色的电气特性和可靠性,可广泛应用于计算机、通信设备和其他电子设备中。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):3A @ TC = 25 °C,7A @ TC = 70 °C
    - 脉冲漏极电流(IDM):45A
    - 单脉冲雪崩电流(I²L):2.0A
    - 雪崩能量(EAS):21mJ
    - 最大功耗(PD):4W @ TC = 25 °C,2.5W @ TC = 70 °C
    - 静态特性
    - 击穿电压(VDS):30V @ VGS = 0V, ID = 250 µA
    - 门限电压(VGS(th)):1.0V 至 3.0V
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±100 nA @ VDS = 0V, VGS = ±20V
    - 门极电阻(Rg):0.36Ω 至 3.6Ω
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):80pF @ VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1MHz
    - 输出电容(Coss):165pF
    - 反向传输电容(Crss):73pF
    - 总栅极电荷(Qg):15nC 至 23nC
    - 开关延迟时间(td(on)):16ns 至 30ns
    - 关断延迟时间(td(off)):16ns 至 22ns

    产品特点和优势


    IRF7413TRPBF-VB具有多种独特的优势,使其在各种应用中表现卓越:
    - 低导通电阻(RDS(on)):在VGS = 10V时为0.008Ω,在VGS = 4.5V时为0.011Ω,确保高效能转换。
    - TrenchFET® 技术:提供更高的效率和更紧凑的设计。
    - 优化设计:专为高侧同步整流操作优化。
    - 可靠性测试:100% Rg和UIS测试,确保产品的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    IRF7413TRPBF-VB主要应用于笔记本CPU核心的高侧开关。例如,笔记本电脑内部电源管理模块可以使用这种MOSFET来提高系统整体效率。
    使用建议:
    - 在安装时,确保散热条件良好,避免过热损坏。
    - 根据实际应用需求选择合适的栅极驱动电阻(Rg),以获得最佳开关性能。
    - 在高温环境下使用时,考虑采用适当的冷却措施,如增加散热片或外部风扇。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF7413TRPBF-VB具有标准化的SO-8封装,易于与其他电路板和元器件集成。
    - 支持:制造商提供了详细的用户手册和技术支持,可通过服务热线(400-655-8788)获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 开机时MOSFET发热严重。
    - A: 检查散热片是否安装正确且有效,适当降低负载或增加散热措施。
    - Q: MOSFET工作时出现异常噪声。
    - A: 确认所有连接正确无误,检查是否有EMI干扰,必要时添加滤波器。
    - Q: MOSFET不能正常关断。
    - A: 检查驱动信号是否达到最小阈值,确认驱动电路无故障。

    总结和推荐


    IRF7413TRPBF-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,特别适合笔记本CPU核心高侧开关应用。它具有低导通电阻、高效能转换及可靠的设计。对于需要高效率和稳定性的应用,强烈推荐使用此产品。此外,供应商提供的全面技术支持和良好的兼容性使得该产品在市场上具备很高的竞争力。

IRF7413TRPBF参数

参数
栅极电荷 140nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250uA
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 14.2A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.6nF@ 25V
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 28.4A
Vds-漏源极击穿电压 500V
最大功率耗散 310W
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRF7413TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7413TRPBF数据手册

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IRF7413TRPBF封装设计

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