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VBZF2N70S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);TO251
供应商型号: VBZF2N70S TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZF2N70S

VBZF2N70S概述


    产品简介


    VBZF2N70S N-Channel 700V超级结功率MOSFET
    VBZF2N70S 是一款适用于多种电子应用的N沟道超级结功率MOSFET。这款MOSFET以其低门极电荷(Qg)、高可靠性及全面的电气特性和鲁棒性而著称。它广泛应用于电源转换、电机驱动、照明控制和其他需要高电压和电流控制的应用领域。

    技术参数


    以下是VBZF2N70S的技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 700 V |
    | 持续漏极电流 | ID 2.4 | 1.6 | A |
    | 重复脉冲漏极电流 | IDM 8.0 | A |
    | 最大功率耗散 | PD 60 | W |
    | 最大结温 | TJ | -55 150 | °C |
    | 热阻至环境 | RthJA 65 | °C/W |
    | 热阻结到外壳(漏极) | RthJC 2.1 | °C/W |

    产品特点和优势


    VBZF2N70S具有以下几个显著的特点和优势:
    - 低门极电荷:这使得驱动要求简单化,减少了控制电路的设计复杂度。
    - 增强的鲁棒性:通过改进的门极、雪崩和动态dV/dt耐受能力,提高了产品的长期可靠性。
    - 全面的电气参数:产品的电容、雪崩电压和电流都经过全面测试和验证,确保稳定性。
    - 符合RoHS标准:产品完全符合欧盟关于限制某些有害物质在电气和电子设备中的使用指令(RoHS 2002/95/EC)。

    应用案例和使用建议


    VBZF2N70S因其高电压处理能力和良好的电气特性,在各种高压应用中表现优异。例如:
    - 电源转换:适合用于需要高电压开关的应用,如直流-直流变换器。
    - 电机驱动:可用于电机驱动系统,提供高效的电力控制。
    - 照明控制:适用于照明系统的控制和调节。
    在使用时,建议采取以下措施以优化性能:
    - 合理布局:减少寄生电感和提高接地平面的效果,确保信号完整性。
    - 保护措施:合理设置门极电阻(RG),避免瞬态电压引起的损坏。

    兼容性和支持


    VBZF2N70S 与同类电子元器件和设备具有良好的兼容性,且符合RoHS和卤素自由标准。制造商提供详细的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的门极电阻(RG)?
    - 解答:通常情况下,RG的设置应该根据具体的驱动条件来确定。一般建议采用制造商推荐的典型值,或参考应用指南进行调整。

    - 问题2:如何评估产品的热管理?
    - 解答:可以利用产品的热阻参数来计算温度上升情况,必要时增加散热片或其他冷却装置以保证长期稳定运行。

    总结和推荐


    VBZF2N70S是一款高效可靠的N沟道超级结功率MOSFET,具备出色的电气特性和广泛的适用性。无论是电源转换还是电机驱动,这款产品都能提供卓越的表现。结合制造商提供的全面技术支持和优质的服务,强烈推荐在相关应用中使用此产品。

VBZF2N70S参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 2A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4Ω@ 10V
栅极电荷 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZF2N70S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZF2N70S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZF2N70S VBZF2N70S数据手册

VBZF2N70S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
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起订量: 15 增量: 4000
交货地:
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