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IRF9530NPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-18A,RDS(ON),167mΩ@10V,178mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-IRF9530NPBF TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF9530NPBF

IRF9530NPBF概述

    IRF9530NPBF-VB P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    IRF9530NPBF-VB 是一种适用于多种高电流应用的 P 沟道 100 V (D-S) 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了 TrenchFET® 技术,特别适合用作电源开关和高电流负载开关,在直流-直流转换器中也有广泛应用。这款 MOSFET 具有很高的可靠性,已经过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,符合 RoHS 指令和无卤素标准。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C): -18 A
    - 脉冲漏极电流 (t = 300 µs): -100 A
    - 最大功耗 (PCB 安装): 11.7 W (TC = 25 °C)
    - 典型规格
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): -100 V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): -1 ~ -2.5 V
    - 栅体泄漏 (IGSS): ±250 nA (VDS = 0 V, VGS = ±20 V)
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 460 pF (VGS = 0 V, VDS = -20 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 330 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 280 pF
    - 传输特性
    - 转导增益 (gfs): 20 S (VDS = -20 V, ID = -14 A)

    3. 产品特点和优势


    IRF9530NPBF-VB 的主要特点包括:
    - TrenchFET® 技术: 提高了器件的耐压和电流承载能力。
    - 无卤素设计: 符合 IEC 61249-2-21 定义,减少了对环境的影响。
    - 100% Rg 和 UIS 测试: 确保了产品的高可靠性。
    - 低栅极电阻: 改善了开关速度和热性能。
    这些特性使其在高功率应用中表现卓越,特别是在需要高效、可靠开关的应用场合中。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: IRF9530NPBF-VB 广泛应用于各种高电流电源开关、负载开关以及直流-直流转换器中。其高耐压能力和良好的动态特性使其成为许多高功率应用的理想选择。

    - 使用建议: 在使用 IRF9530NPBF-VB 时,应注意栅极驱动电路的设计,以确保快速和稳定的开关操作。此外,为了防止热失控,建议在散热片上安装 MOSFET,并保持良好的通风条件。

    5. 兼容性和支持


    IRF9530NPBF-VB 采用 TO-220AB 封装,易于与其他常见的电子元件和设备兼容。制造商提供详尽的技术支持和售后保障,包括产品测试报告和客户咨询热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现高频振荡。
    - 解决方案: 确保适当的栅极电阻值,减少门极驱动的杂散电感,并使用良好的去耦电容器。
    - 问题2: 过高的温升导致失效。
    - 解决方案: 优化散热设计,增加外部散热片或使用更好的散热材料。

    7. 总结和推荐


    总体来说,IRF9530NPBF-VB 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,特别适合在高电流和高可靠性要求的应用环境中使用。其独特的技术优势和出色的性能使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐给需要高效率、高可靠性的电源开关和转换应用的工程师和设计师。

IRF9530NPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
栅极电荷 50nC
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
最大功率耗散 11.7W
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 167mΩ@10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.46nF
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRF9530NPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF9530NPBF数据手册

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