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VBZL20N65S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: VBZL20N65S TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZL20N65S

VBZL20N65S概述

    产品概述

    产品简介


    VBZL20N65S 是一款高性能的 N-Channel Super Junction MOSFET(超级结N沟道MOSFET),专为各种电源转换应用设计。它具有低导通电阻(RDS(on))、低门极电荷(Qg)和其他优秀的电气特性,使其成为电信、照明、消费电子、工业和可再生能源等领域的理想选择。
    主要功能和应用领域
    - 功能:
    - 低反向恢复时间(trr)
    - 低关断恢复电流(IRRM)
    - 低门极电容(Ciss)
    - 高可靠性
    - 应用领域:
    - 电信(服务器和电信电源)
    - 照明(高强度放电灯、荧光灯)
    - 消费和计算(ATX电源)
    - 工业(焊接、电池充电器)
    - 可再生能源(太阳能逆变器)
    - 开关模式电源(SMPS)

    技术参数


    以下是该产品的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 门极漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.19 | - | Ω |
    | 总门极电荷 | Qg | - | 71 | 106 | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 2322 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 105 | - | pF |
    | 体二极管的正向电压 | VSD | - | 0.9 | 1.2 | V |

    产品特点和优势


    - 低开关损耗:由于低反向恢复时间和低关断恢复电流,显著减少开关损耗。
    - 高可靠性:低门极电容和低输入电容确保了稳定可靠的操作。
    - 快速开关特性:低开关损耗和低门极电荷使器件能够在高频条件下高效运行。
    - 广泛应用:适用于多种高要求的工业和商业应用,如电源转换、逆变器等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信电源:在高效率的电信电源系统中,VBZL20N65S可以用于降压转换,提高系统的整体效率。
    - 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBZL20N65S的低损耗特性有助于实现更高的转换效率。
    使用建议
    - 在高频应用中,需要特别注意门极驱动电路的设计,以避免过高的电压尖峰。
    - 在大电流应用中,要保证良好的散热措施,以防止温度过高导致器件损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:VBZL20N65S采用D2PAK封装,易于与其他标准电子元器件兼容。
    - 支持:VBsemi公司提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 优化散热设计,增加散热片或风扇 |
    | 门极驱动信号不稳定 | 确保门极驱动信号稳定,减少外部干扰 |
    | 正向电压过高 | 检查系统电压,确保不超过器件的最大额定值|

    总结和推荐


    综合评估
    VBZL20N65S是一款非常出色的超级结MOSFET,具备低导通电阻、低门极电荷和低开关损耗等特点,非常适合用于电信、照明、消费电子和工业等领域。其广泛的应用范围和卓越的性能使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐
    强烈推荐使用VBZL20N65S。它不仅性能优异,而且在各种应用中表现出色,特别是在高效率和可靠性要求较高的场合。

VBZL20N65S参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZL20N65S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZL20N65S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZL20N65S VBZL20N65S数据手册

VBZL20N65S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
800+ ¥ 9.5015
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